[发明专利]大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的制作方法

摘要

一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的制作方法，其特征在于它包括以下步骤：一、罗兰圆方向：(1)加工制作中心晶片；(2)加工制作中心晶片两侧晶片；二、与罗兰圆垂直的圆弧面方向：将步骤1中制作完成的罗兰圆方向上全部覆盖的晶体，在原位，沿着入射焦点S和出射焦点F形成的光轴，进行旋转的半径r弯曲，形成双曲率弯曲晶体。本发明的有益效果是：本发明以简单可行的小块晶体的加工方法，在两个方向上分段实现全聚焦晶体衍射，实现晶体在设计的全聚焦曲面上实现大面积的、双曲率弯曲的晶体，可以收集更多的入射强度；并利用该技术实现X射线单色化和波长色散X射线荧光分析中的晶体分光，大大提高了晶体衍射效率和强度。

主权项

一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的制作方法，其特征在于它包括以下步骤：一、罗兰圆方向：(1)加工制作中心晶片；(2)加工制作中心晶片两侧晶片：第一步，根据晶体坯料的大小，在罗兰圆中心线两侧设若干晶片在罗兰圆上；第二步，在晶体表面沿与晶体晶面成γ角磨初始偏离角，也就是晶体表面与晶面夹角为γ；第三步，在晶体表面磨制2R内凹弧面，弧面中心为点C；第四步，沿与2R表面平行方向，取下晶体薄片；第五步，将晶体薄片中心点C对准晶片所对应的在罗兰圆上的中心点B的位置，继续弯曲晶体薄片，最终将晶体薄片内表面曲率半径弯成为R；第六步，分别制作与罗兰圆上若干中心点相对应的晶片，直到将将罗兰圆全部覆盖；二、与罗兰圆垂直的圆弧面方向：将步骤一中制作完成的罗兰圆方向上全部覆盖的晶体，在原位，沿着入射焦点S和出射焦点F形成的光轴，进行旋转的半径r弯曲，形成双曲率弯曲晶体。