[发明专利]大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的制作方法

权利要求书

1.一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的制作方法，其特征在 于它包括以下步骤：

一、罗兰圆方向：

(1)加工制作中心晶片；

(2)加工制作中心晶片两侧晶片：

第一步，根据晶体坯料的大小，在罗兰圆中心线两侧设若干晶片 在罗兰圆上；第二步，在晶体表面沿与晶体晶面成γ角磨初始偏离角， 也就是晶体表面与晶面夹角为γ；第三步，在晶体表面磨制2R内凹 弧面，弧面中心为点C；第四步，沿与2R表面平行方向，取下晶体 薄片；第五步，将晶体薄片中心点C对准晶片所对应的在罗兰圆上 的中心点B的位置，继续弯曲晶体薄片，最终将晶体薄片内表面曲 率半径弯成为R；第六步，分别制作与罗兰圆上若干中心点相对应的 晶片，直到将将罗兰圆全部覆盖；

二、与罗兰圆垂直的圆弧面方向：将步骤一中制作完成的罗兰圆 方向上全部覆盖的晶体，在原位，沿着入射焦点S和出射焦点F形成 的光轴，进行旋转的半径r弯曲，形成双曲率弯曲晶体。

2.根据权利要求1所述一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的 制作方法，其特征在于所述加工制作中心晶片的方法为：第一步，晶 体坯料的表面磨至与晶面平行；第二步，在晶体表面磨制2R内凹弧 面，弧面中心为点A；第三步，沿与2R表面平行方向，取下晶体薄 片；第四步，将晶体薄片中心点A对准晶片所对应的在罗兰圆上的 中心点A的位置，继续弯曲晶体薄片，最终将晶体薄片内表面曲率 半径弯成为R。

3.根据权利要求1所述一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的 制作方法，其特征在于所述两侧晶片以罗兰圆中心线OA为轴对称。

4.根据权利要求1所述一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的 制作方法，其特征在于所述两侧晶片的初始偏离角等于该晶片中心与 罗兰圆中心连线OB和中心晶片与罗兰圆中心连线OA夹角∠AOB 的1/2。

5.根据权利要求1或4所述一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶 体的制作方法，其特征在于所述初始偏离角即晶体表面与晶面夹角γ 的确定方法：晶片在罗兰圆上的中心点B，中心晶片在罗兰圆上的中 心点A，对应罗兰圆中心O的展开角∠AOB＝2γ；罗兰圆半径为R， 从2R圆心O’经点B作辅助线O’B，与2R圆的交点C；过点C作2R 圆的作切线l1,整块晶体坯料的晶面与l1夹角α，∠AO’B＝γ，α＝ γ。

6.根据权利要求1或2所述一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶 体的制作方法，其特征在于所述晶体薄片厚度为0.1-0.4mm。

7.根据权利要求1所述一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的 制作方法，其特征在于所述双曲率弯曲晶体为罗兰圆绕光轴SF旋转 而形成的晶体表面。

8.根据权利要求1所述一种大面积全聚焦型双曲率弯曲晶体的 制作方法，其特征在于所述罗兰圆绕光轴SF旋转一周而形成晶体表 面为鼓形的最大面积的全聚焦弯曲晶体。