[发明专利]显示装置的薄膜晶体管有效

专利信息
申请号: 201510364330.3 申请日: 2015-06-26
公开(公告)号: CN105226100B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 韩相国;曹基述;朴春镐;崔珍号;金鞠焕;金秀泓;咸恩智;宋秉哲 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;董文国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种显示装置的薄膜晶体管(TFT),该TFT减小由驼峰引起的漏电流和减小屏幕缺陷。该TFT包括:有源层和第一栅电极,在有源层与第一栅电极之间具有栅极绝缘体;以及分别设置在有源层的两端处的源电极和漏电极。栅电极分支为多条线并且交叠有源层。有源层包括:在源电极与漏电极之间的一个或更多个沟道区;一个或更多个虚拟区;以及在一个或更多个沟道区之间以将一个或更多个沟道区连接为一个图案的多个连接区。一个或更多个虚拟区中的每一个的长度从对应沟道区的边缘伸出。
搜索关键词: 源层 沟道区 栅电极 薄膜晶体管 显示装置 漏电极 虚拟区 源电极 减小 栅极绝缘体 驼峰 连接区 漏电流 交叠 伸出 图案 屏幕
【主权项】:
1.一种显示装置的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:在衬底上的有源层;交叠所述有源层的第一栅电极,所述第一栅电极分支为多条线;在所述有源层和所述第一栅电极之间的栅极绝缘体;以及分别在所述有源层的两端处的源电极和漏电极,其中所述有源层包括:在所述源电极和所述漏电极之间的多个沟道区;一个或更多个虚拟区,所述一个或更多个虚拟区中的每一个的长度沿所述第一栅电极的所述多条线的方向从对应沟道区的边缘伸出;以及在所述多个沟道区之间以将所述多个沟道区沿所述第一栅电极的所述多条线的方向连接成一个图案的多个连接区。
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