[发明专利]显示装置的薄膜晶体管有效
申请号: | 201510364330.3 | 申请日: | 2015-06-26 |
公开(公告)号: | CN105226100B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 韩相国;曹基述;朴春镐;崔珍号;金鞠焕;金秀泓;咸恩智;宋秉哲 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源层 沟道区 栅电极 薄膜晶体管 显示装置 漏电极 虚拟区 源电极 减小 栅极绝缘体 驼峰 连接区 漏电流 交叠 伸出 图案 屏幕 | ||
公开了一种显示装置的薄膜晶体管(TFT),该TFT减小由驼峰引起的漏电流和减小屏幕缺陷。该TFT包括:有源层和第一栅电极,在有源层与第一栅电极之间具有栅极绝缘体;以及分别设置在有源层的两端处的源电极和漏电极。栅电极分支为多条线并且交叠有源层。有源层包括:在源电极与漏电极之间的一个或更多个沟道区;一个或更多个虚拟区;以及在一个或更多个沟道区之间以将一个或更多个沟道区连接为一个图案的多个连接区。一个或更多个虚拟区中的每一个的长度从对应沟道区的边缘伸出。
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年6月27日提交的韩国专利申请No.10-2014-0080195、2015年6月12日提交的韩国专利申请No.10-2015-0083189以及2015年6月12日提交的韩国专利申请No.10-2015-0083192的权益,其各自如文中所完全阐述的通过引用合并到本文中用于全部目的。
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管(TFT)。更具体地,本发明涉及减小由驼峰引起的漏电流从而减小屏幕缺陷的显示装置的TFT。
背景技术
有机发光二极管(OLED)包括在两个电极(例如,阳极和阴极电极)之间形成的有机发光层。将电子和空穴从两个电极注入到有机发光层中,并且通过电子与空穴复合来生成激子。OLED是使用下述原理的装置:当所生成的激子从激发态转移至基态时发射光。
每个有机发光显示装置包括以矩阵型布置的多个像素。在有机发光显示装置中,多个像素中的每一个包括:利用输入至其中的数据电流(Ioled)来发射光的OLED、以及驱动该OLED的像素电路(PC)。此外,设置用于向OLED和像素电路(PC)提供驱动电压和信号的多条线。
OLED和像素电路包括在多个像素中的每一个中,并且每个像素的OLED根据输入图像信号发光以显示图像。
此处,像素电路(PC)包括扫描TFT、感测TFT、驱动TFT和存储电容器Cst。多条线包括数据线(DL)、栅极线(GL)、驱动电源线(PL)、感测信号线(SL)和参比电源线(RL)。
图1示出向有机发光显示装置的像素提供扫描信号的栅极驱动器,并且示出一个扫描电路。
参照图1,栅极驱动器的扫描电路生成扫描信号,并且通过栅极线向像素电路的扫描TFT提供扫描信号。
此处,在多个缓冲TFT中,上拉TFT向栅极线输出高电压(栅极高电压),下拉TFT T1向栅极线输出低电压(栅极低电压)。此外,开关TFT T2是将加载至Q节点的电压偏移至低电压(例如,接地或VGL)的复位TFT。
当开关TFT T2的阈值电压(Vth)降低时,截止电流(Ioff)增加,并且因此,Q节点的电压下降,从而输出电压Vgout降低。此外,当下拉TFT T1的阈值电压(Vth)降低时,截止电流(Ioff)增加,并且因此,应该是以VGH水平输出的输出电压Vgout降低。此处,输出电压Vgout表示当上拉TFT导通时输出的高电压。
也就是说,当上拉TFT导通时,输出电压Vgout应该以VGH水平输出,但是由于开关TFT T2和下拉TFT T1中的每一个的截止电流(Ioff),输出电压Vgout变得低于正常电压。当扫描电路的输出电压Vgout降低时,像素电路的开关TFT未正常导通,从而导致屏幕缺陷。
图2A是示出包括在扫描电路中的下拉TFT的平面布局的图。图2B是示出包括在扫描电路中的复位TFT的平面布局的图。图2C是示出包括在像素电路中的驱动TFT的平面布局的图。图3是示出下拉TFT的沿图2A的线A1-A2截取的横截面、复位TFT的沿图2B中的线A1-A2截取的横截面、以及在下拉TFT和复位TFT中哪里出现驼峰的问题。下拉TFT和复位TFT以共面顶栅型形成。下拉TFT的横截面、复位TFT的横截面和驱动TFT的横截面是相似的,并且因此,未示出驱动TFT的横截面。
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