[发明专利]显示装置的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种显示装置的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

在衬底上的有源层；

交叠所述有源层的第一栅电极，所述第一栅电极分支为多条线；

在所述有源层和所述第一栅电极之间的栅极绝缘体；以及

分别在所述有源层的两端处的源电极和漏电极，

其中所述有源层包括：

在所述源电极和所述漏电极之间的多个沟道区；

一个或更多个虚拟区，所述一个或更多个虚拟区中的每一个的长度沿所述第一栅电极的所述多条线的方向从对应沟道区的边缘伸出；以及

在所述多个沟道区之间以将所述多个沟道区沿所述第一栅电极的所述多条线的方向连接成一个图案的多个连接区。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多个连接区中的每一个沿与所述第一栅电极的所述多条线的方向垂直的方向的宽度小于所述第一栅电极的所述多条线中的每一条的宽度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多个连接区中的每一个沿与所述第一栅电极的所述多条线的方向垂直的方向的宽度大于所述第一栅电极的所述多条线中的每一条的宽度。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多个连接区中的每一个沿与所述第一栅电极的所述多条线的方向垂直的方向的宽度大于所述第一栅电极的所述多条线的宽度之和。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中

在相邻沟道区之间设置有多个狭缝以交叠对应于所述第一栅电极的所述多条线之间的空间的一部分。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多个连接区交叠对应于所述第一栅电极的所述多条线之间的空间的一部分，以及

其中所述第一栅电极的所述多条线彼此平行。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述一个或更多个虚拟区中的每一个从对应沟道区的一个边缘或两个边缘突出并且设置在所述第一栅电极的所述多条线的端部处。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述一个或更多个虚拟区中的每一个从所述第一栅电极的所述端部突出一定长度，所述一定长度最大对应于所述第一栅电极的所述线的长度的30％。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述一个或更多个虚拟区中的每一个从所述对应沟道区的所述一个边缘或所述两个边缘突出一定长度，所述一定长度最大对应于一个沟道区沿所述第一栅电极的所述多条线的方向的宽度的30％。

10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，还包括：

在所述有源层下方的绝缘体；以及

在所述绝缘体下方的第二栅电极，所述第二栅电极分支为具有与所述第一栅电极的所述多条线相同形状的多条线，

其中所述第二栅电极交叠所述有源层，并且所述第一栅电极电连接至所述第二栅电极。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中所述有源层交叠所述第一栅电极的所述多条线以在所述有源层的顶部上形成多沟道。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中所述有源层交叠所述第二栅电极的所述多条线以在所述有源层的底部上形成多沟道。

13.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，还包括：

在所述有源层下方的绝缘体；以及

在所述绝缘体下方的第二栅电极，所述第二栅电极分支为具有与所述第一栅电极的所述多条线相同形状的多条线，

其中所述第二栅电极交叠所述有源层，并且所述第一栅电极电连接至所述第二栅电极。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中所述有源层交叠所述第一栅电极的所述多条线以在所述有源层的顶部上形成多沟道。

15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中所述有源层交叠所述第二栅电极的所述多条线以在所述有源层的底部上形成多沟道。