[发明专利]一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法在审
申请号: | 201510347608.6 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN104900659A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 柯聪盈;郑贵宁 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/3205;H01L21/306 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该制造方法包括以下步骤:形成一离型层于玻璃基板的上方;形成一导电层于离型层的上方;利用湿蚀刻制程对导电层进行图案化,从而形成一接合焊盘;形成一薄膜晶体管以及一过孔,藉由过孔电性耦接薄膜晶体管与接合焊盘;以及利用离型层从玻璃基板分离薄膜晶体管。相比于现有技术,本发明在离型层上方设置导电层,从而使形成过孔时的干蚀刻制程并不会穿透图案化导电层而伤害到离型层,因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。 | ||
搜索关键词: | 一种 软性 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:形成一离型层于玻璃基板的上方;形成一导电层于所述离型层的上方;利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化,从而形成一接合焊盘;形成一薄膜晶体管以及一过孔,所述薄膜晶体管藉由所述过孔电性耦接至所述接合焊盘;以及利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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