[发明专利]一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510347608.6 申请日: 2015-06-23
公开(公告)号: CN104900659A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 柯聪盈;郑贵宁 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/3205;H01L21/306
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 软性 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:

形成一离型层于玻璃基板的上方;

形成一导电层于所述离型层的上方;

利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化,从而形成一接合焊盘;

形成一薄膜晶体管以及一过孔,所述薄膜晶体管藉由所述过孔电性耦接至所述接合焊盘;以及

利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该制造方法还包括:

在分离所述薄膜晶体管之后,黏合所述接合焊盘至一外部的连接部。

3.根据权利要求2所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该连接部为集成电路或柔性印刷电路。

4.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,上述形成薄膜晶体管和过孔的步骤还包括:

形成一绝缘层于所述离型层和所述接合焊盘的上方;

形成所述薄膜晶体管于所述绝缘层的上方;以及

对所述绝缘层进行干蚀刻以形成所述过孔。

5.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该制造方法还包括:

在分离所述薄膜晶体管之后,形成一软性基板于所述薄膜晶体管的上方。

6.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,所述导电层由氧化铟锡材质制成。

7.一种软性薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述软性薄膜晶体管阵列基板包括:

一图案化的导电层,包括对应于图案的一接合焊盘;

一绝缘层,设置于所述图案化的导电层的上方;

一薄膜晶体管,设置于所述绝缘层的上方;

一过孔,与所述接合焊盘的位置相对应,用于电性耦接所述接合焊盘与所述薄膜晶体管;以及

一软性基板,设置于所述薄膜晶体管的上方。

8.根据权利要求7所述的软性薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述软性薄膜晶体管阵列基板采用离型制程制作而成。

9.根据权利要求8所述的软性薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,上述离型制程包括以下步骤:

形成一离型层于玻璃基板的上方;

形成所述导电层于所述离型层的上方;

利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化,以形成所述接合焊盘;

形成所述薄膜晶体管和所述过孔;以及

利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。

10.根据权利要求7所述的软性薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述导电层由氧化铟锡材质制成。

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