[发明专利]一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法在审
申请号: | 201510347608.6 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN104900659A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 柯聪盈;郑贵宁 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/3205;H01L21/306 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 软性 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
形成一离型层于玻璃基板的上方;
形成一导电层于所述离型层的上方;
利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化,从而形成一接合焊盘;
形成一薄膜晶体管以及一过孔,所述薄膜晶体管藉由所述过孔电性耦接至所述接合焊盘;以及
利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该制造方法还包括:
在分离所述薄膜晶体管之后,黏合所述接合焊盘至一外部的连接部。
3.根据权利要求2所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该连接部为集成电路或柔性印刷电路。
4.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,上述形成薄膜晶体管和过孔的步骤还包括:
形成一绝缘层于所述离型层和所述接合焊盘的上方;
形成所述薄膜晶体管于所述绝缘层的上方;以及
对所述绝缘层进行干蚀刻以形成所述过孔。
5.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该制造方法还包括:
在分离所述薄膜晶体管之后,形成一软性基板于所述薄膜晶体管的上方。
6.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,所述导电层由氧化铟锡材质制成。
7.一种软性薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述软性薄膜晶体管阵列基板包括:
一图案化的导电层,包括对应于图案的一接合焊盘;
一绝缘层,设置于所述图案化的导电层的上方;
一薄膜晶体管,设置于所述绝缘层的上方;
一过孔,与所述接合焊盘的位置相对应,用于电性耦接所述接合焊盘与所述薄膜晶体管;以及
一软性基板,设置于所述薄膜晶体管的上方。
8.根据权利要求7所述的软性薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述软性薄膜晶体管阵列基板采用离型制程制作而成。
9.根据权利要求8所述的软性薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,上述离型制程包括以下步骤:
形成一离型层于玻璃基板的上方;
形成所述导电层于所述离型层的上方;
利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化,以形成所述接合焊盘;
形成所述薄膜晶体管和所述过孔;以及
利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。
10.根据权利要求7所述的软性薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述导电层由氧化铟锡材质制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的