[发明专利]阵列基板有效
| 申请号： | 201510323253.7 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104865763B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘桓 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 朱绘,张文娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板，属于显示技术领域，解决了现有的液晶显示器存在两侧发白的技术问题。该阵列基板包括多个子像素单元；每个子像素单元中包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；在扫描线的延伸方向上，位于阵列基板中间的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比，小于位于阵列基板两端的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，包括多个子像素单元，以及与每行子像素单元对应的扫描线、公共电极线，与每列子像素单元对应的数据线；每个子像素单元中包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；在每个子像素单元中，第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线，第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管的源极连接同一条数据线；第一薄膜晶体管的漏极连接主像素电极，第二薄膜晶体管的漏极连接次像素电极；第三薄膜晶体管的源极连接第二薄膜晶体管的漏极，第三薄膜晶体管的漏极连接公共电极线；其中数据电压通过第一薄膜晶体管充入主像素电极，数据电压通过第二薄膜晶体管充入次像素电极，第三薄膜晶体管用于降低次像素电极的数据电压；在扫描线的延伸方向上，位于所述阵列基板中间的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比，小于位于所述阵列基板两端的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510323253.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
