[发明专利]提升电容电路以及电荷泵

摘要

本发明揭示了一种提升电容电路，包括第一NMOS晶体管和倍压电路，所述倍压电路包括第一PMOS晶体管的漏极接一工作电压，源极接一第一节点，栅极接一第二节点；驱动反相器的输入端接收一第一信号；第二PMOS晶体管的栅极接所述驱动反相器的输出端，第二PMOS晶体管的源极和漏极相连后，连接所述第一节点；第三PMOS晶体管的栅极接收所述第一信号，源极连接所述第一节点，漏极连接所述第二节点；第二NMOS晶体管的栅极接收所述第一信号，源极接低电压，漏极连接所述第二节点；第一NMOS晶体管的源极和漏极相连，第二节点向所述第一NMOS晶体管的源极和漏极提供一第二信号。本发明还揭示了一种包括所述提升电容电路的电荷泵。所述提升电容电路和电荷泵的面积效率高。

主权项

一种提升电容电路，其特征在于，包括第一NMOS晶体管和倍压电路，所述第一NMOS晶体管的栅极用于提供提升电压，所述第一NMOS晶体管为厚栅氧NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极氧化层厚度为所述倍压电路包括：第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管为薄栅氧PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极氧化层厚度均小于所述第一PMOS晶体管的漏极接一工作电压，所述第一PMOS晶体管的源极接一第一节点，所述第一PMOS晶体管的栅极接一第二节点；驱动反相器，所述驱动反相器的输入端接收一第一信号；第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管为薄栅氧PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的栅极氧化层厚度均小于所述第二PMOS晶体管的栅极接所述驱动反相器的输出端，所述第二PMOS晶体管的源极和漏极相连后，连接所述第一节点；第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管的栅极接收所述第一信号，所述第三PMOS晶体管的源极连接所述第一节点，所述第三PMOS晶体管的漏极连接所述第二节点；第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的栅极接收所述第一信号，所述第二NMOS晶体管的源极接低电压，所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述第二节点；其中，所述第一NMOS晶体管的源极和漏极相连，所述第二节点向所述第一NMOS晶体管的源极和漏极提供一第二信号。