[发明专利]提升电容电路以及电荷泵

权利要求书

1.一种提升电容电路，其特征在于，包括第一NMOS晶体管和倍压电路，所述第一NMOS晶体管的栅极用于提供提升电压，所述第一NMOS晶体管为厚栅氧NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极氧化层厚度为所述倍压电路包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管为薄栅氧PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极氧化层厚度均小于所述第一PMOS晶体管的漏极接一工作电压，所述第一PMOS晶体管的源极接一第一节点，所述第一PMOS晶体管的栅极接一第二节点；

驱动反相器，所述驱动反相器的输入端接收一第一信号；

第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管为薄栅氧PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的栅极氧化层厚度均小于所述第二PMOS晶体管的栅极接所述驱动反相器的输出端，所述第二PMOS晶体管的源极和漏极相连后，连接所述第一节点；

第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管的栅极接收所述第一信号，所述第三PMOS晶体管的源极连接所述第一节点，所述第三PMOS晶体管的漏极连接所述第二节点；

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的栅极接收所述第一信号，所述第二NMOS晶体管的源极接低电压，所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述第二节点；

其中，所述第一NMOS晶体管的源极和漏极相连，所述第二节点向所述第一NMOS晶体管的源极和漏极提供一第二信号。

2.如权利要求1所述的提升电容电路，其特征在于，所述第一信号的有效电压为所述工作电压。

3.如权利要求2所述的提升电容电路，其特征在于，当所述第一信号的有效时，所述第二信号无效；当所述第一信号的无效时，所述第二信号有效，所述第二信号的有效电压为两倍的所述工作电压。

4.如权利要求1所述的提升电容电路，其特征在于，所述第三PMOS晶体管为厚栅氧PMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管为厚栅氧NMOS晶体管。

5.如权利要求4所述的提升电容电路，其特征在于，所述第三PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极氧化层厚度均为

6.一种电荷泵，其特征在于，包括n级如权利要求1至5中任一项所述的提升电容电路，n级所述提升电容电路中第一NMOS晶体管的栅极依次连接，n为正整数，且n≥2。