[发明专利]改进的晶体管沟道有效
| 申请号： | 201510310452.4 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105720090B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郑有宏;蔡庆威;杜友伦;林东毅;陈韦立 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种晶体管器件包括具有第一区和第二区的衬底；具有位于第一区上方的第一部分和位于第二区上方的第二部分的第一半导体材料的第一半导体层，第一部分与第二部分分隔开；位于第一半导体层的第二部分上方的第二半导体材料的第二半导体层；第一导电类型的第一晶体管，第一晶体管设置在第一区内并且具有形成在第一半导体层中的第一组源极/漏极区；以及第二导电类型的第二晶体管，第二晶体管设置在第二区内并且具有形成在第二半导体层中的第二组源极/漏极区。第二导电类型不同于第一导电类型，并且第二半导体材料不同于第一半导体材料。本发明的实施例还涉及改进的晶体管沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 晶体管 沟道 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，包括：/n衬底，具有第一区和第二区；/n第一半导体材料的第一半导体层，具有位于所述第一区上方的第一部分和位于所述第二区上方的第二部分，所述第一部分与所述第二部分分隔开；/n第二半导体材料的第二半导体层，位于所述第一半导体层的所述第二部分上方；/n第一导电类型的第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一区内并且具有形成在所述第一半导体层中的第一组源极/漏极区；以及/n第二导电类型的第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二区内并且具有形成在所述第二半导体层中的第二组源极/漏极区；/n其中，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，并且所述第二半导体材料不同于所述第一半导体材料；/n其中，所述第一组源极/漏极区和所述第二组源极/漏极区之中的每一个都包括指向相应的晶体管内的沟道的顶点、邻近所述顶点的尖端部分以及剩余部分，所述尖端部分包括超晶格结构，所述剩余部分不包括所述超晶格结构，其中，所述超晶格结构在垂直于所述衬底的方向上在两种不同的半导体材料之间交替。/n
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