[发明专利]改进的晶体管沟道

权利要求书

1.一种晶体管器件，包括：

衬底，具有第一区和第二区；

第一半导体材料的第一半导体层，具有位于所述第一区上方的第一部分和位于所述第二区上方的第二部分，所述第一部分与所述第二部分分隔开；

第二半导体材料的第二半导体层，位于所述第一半导体层的所述第二部分上方；

第一导电类型的第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一区内并且具有形成在所述第一半导体层中的第一组源极/漏极区；以及

第二导电类型的第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二区内并且具有形成在所述第二半导体层中的第二组源极/漏极区；

其中，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，并且所述第二半导体材料不同于所述第一半导体材料；

其中，所述第一组源极/漏极区和所述第二组源极/漏极区之中的每一个都包括指向相应的晶体管内的沟道的顶点、邻近所述顶点的尖端部分以及剩余部分，所述尖端部分包括超晶格结构，所述剩余部分不包括所述超晶格结构，其中，所述超晶格结构在垂直于所述衬底的方向上在两种不同的半导体材料之间交替。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述第一半导体材料包括硅锗(SiGe)，并且所述第二半导体材料包括砷化铟镓(InGaAs)。

3.根据权利要求1所述的晶体管器件，还包括：

接合层，位于所述第二区上方的所述第一半导体层和所述第二半导体层之间。

4.根据权利要求3所述的晶体管器件，其中，所述接合层包括氧化物材料。

5.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述第一组源极/漏极区和所述第二组源极/漏极区是外延生长的。

6.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述第一组源极/漏极区包括掺杂有硼的硅锗。

7.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述第二组源极/漏极区包括掺杂有磷的硅锗。

8.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，源极/漏极区的所述顶点的尖端掺杂有较高浓度的掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的晶体管器件，其中，所述较高浓度的掺杂剂从所述顶点的尖端延伸5纳米。

10.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述超晶格结构在硅锗和硅之间交替，所述硅锗和所述硅具有相同类型的掺杂剂。

11.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述超晶格结构的部分具有3纳米的厚度。

12.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，位于所述第一区和所述第二区中的所述第一半导体层的厚度以及所述第二半导体层的厚度在50纳米至100纳米的范围内。

13.一种晶体管器件，包括：

栅极器件；

源极区，具有指向所述栅极器件下方的沟道的顶点；以及

漏极区，具有指向所述沟道的顶点；

其中，所述源极区和所述漏极区之中的每一个都包括指向所述晶体管器件的沟道的顶点、邻近所述顶点的尖端部分以及剩余部分，所述尖端部分包括超晶格结构，所述剩余部分不包括所述超晶格结构，其中，所述超晶格结构在垂直于衬底的方向上在两种不同的半导体材料之间交替。

14.根据权利要求13所述的晶体管器件，其中，所述超晶格结构在垂直于衬底的方向上在硅锗和硅之间交替，所述硅锗和所述硅具有相同类型的掺杂剂。

15.根据权利要求13所述的晶体管器件，其中，所述超晶格结构的部分具有3纳米的厚度。