[发明专利]挤压电阻及其制造方法有效
| 申请号： | 201510306765.2 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104993050B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 姚国亮;张邵华;吴建兴 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种挤压电阻及其制造方法，所述挤压电阻包括第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的高压阱，位于所述外延层内；第二掺杂类型的深阱，位于所述高压阱内；第一掺杂类型的第一阱，与所述高压阱并列地位于所述外延层内；漏极欧姆接触区，位于所述深阱内；挤压电阻欧姆接触区，位于所述外延层内。本发明的挤压电阻能够容易地与高压晶体管等器件集成，有利于节省版图面积，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 挤压 电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种挤压电阻，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上且覆盖所述埋层，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的高压阱，位于所述外延层内；第二掺杂类型的深阱，位于所述高压阱内；第一掺杂类型的第一阱，与所述高压阱并列地位于所述外延层内；漏极欧姆接触区，位于所述深阱内；挤压电阻欧姆接触区，位于所述外延层内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰微电子股份有限公司，未经杭州士兰微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510306765.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于二次电池的电连接构件
- 下一篇：平均电极PN结四极管式热电转换装置
