[发明专利]挤压电阻及其制造方法

权利要求书

1.一种挤压电阻，其特征在于，包括：

第一掺杂类型的半导体衬底；

第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；

第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上且覆盖所述埋层，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；

第二掺杂类型的高压阱，位于所述外延层内；

第二掺杂类型的深阱，位于所述高压阱内；

第一掺杂类型的第一阱，与所述高压阱并列地位于所述外延层内；

漏极欧姆接触区，位于所述深阱内；

挤压电阻欧姆接触区，位于所述外延层内。

2.根据权利要求1所述的挤压电阻，其特征在于，还包括：

第一掺杂类型的降场层，与所述漏极欧姆接触区并列地位于所述高压阱内。

3.根据权利要求1所述的挤压电阻，其特征在于，还包括：

场氧化层，至少覆盖所述高压阱的边界和漏极欧姆接触区之间的外延层。

4.根据权利要求1所述的挤压电阻，其特征在于，还包括：

第一掺杂类型的隔离环，与所述高压阱并列地位于所述外延层内；

地电位接触区，位于所述隔离环内。

5.根据权利要求1所述的挤压电阻，其特征在于，还包括：

体接触区，位于所述第一阱内。

6.根据权利要求1所述的挤压电阻，其特征在于，还包括：

第二掺杂类型的第二阱，与所述高压阱并列地位于所述外延层内，所述挤压电阻欧姆接触区位于所述第二阱内。

7.一种挤压电阻的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一掺杂类型的半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成第一掺杂类型的埋层；

在所述半导体衬底上形成第二掺杂类型的外延层，所述外延层覆盖所述埋层，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；

在所述外延层内形成第二掺杂类型的高压阱；

在所述高压阱内形成第二掺杂类型的深阱；

在所述外延层内形成与所述高压阱并列的第一阱，所述第一阱具有第一掺杂类型；

在所述外延层内形成挤压电阻欧姆接触区，在所述深阱内形成漏极欧姆接触区。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成所述深阱之后还包括：

在所述高压阱内形成第一掺杂类型的降场层，所述降场层与所述漏极欧姆接触区并列地位于所述高压阱内。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成场氧化层，所述场氧化层至少覆盖所述高压阱的边界和漏极欧姆接触区之间的外延层。

10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述外延层内形成与所述高压阱并列的隔离环，所述隔离环具有第一掺杂类型；

在所述隔离环内形成地电位接触区。

11.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第一阱内形成体接触区。

12.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括：形成第二掺杂类型的第二阱，所述第二阱与所述高压阱并列地位于所述外延层内，所述挤压电阻欧姆接触区位于所述第二阱内。