[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件的制造方法。本发明可以改进半导体器件的性能。在对覆盖传输晶体管的栅极电极的绝缘膜进行各向异性蚀刻并且在栅极电极的侧壁之上形成侧壁间隔件之后，由于该各向异性蚀刻而在半导体衬底的内部形成的损伤层，通过使半导体衬底的表面氧化、形成牺牲氧化物膜、以及去除该牺牲氧化物膜，而被去除。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有光电二极管和传输晶体管，其中所述制造方法包括以下工艺步骤：(a)准备半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面；(b)在所述半导体衬底的内部，形成p型第一半导体区域；(c)在所述半导体衬底的所述主表面之上，形成具有第一侧壁和第二侧壁的栅极电极，具有中介其间的栅极绝缘膜；(d)在所述栅极电极的所述第一侧壁侧，在所述p型第一半导体区域中，形成n型第二半导体区域；(e)形成第一绝缘膜，以便覆盖所述半导体衬底的所述主表面、以及所述栅极电极；(f)对所述第一绝缘膜进行各向异性蚀刻，并且在所述栅极电极的所述第二侧壁之上，形成侧壁间隔件；(g)在所述栅极电极的所述第二侧壁侧，通过将所述半导体衬底的所述主表面氧化，形成氧化物膜；(h)去除所述氧化物膜；以及(i)在所述栅极电极的所述第二侧壁侧，在所述p型第一半导体区域中，形成n型第三半导体区域；所述光电二极管包括所述第一半导体区域和所述第二半导体区域；并且所述传输晶体管包括所述栅极电极、所述第二半导体区域和所述第三半导体区域。