[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有光电二极管和传输晶体管，

其中所述制造方法包括以下工艺步骤：

(a)准备半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面；

(b)在所述半导体衬底的内部，形成p型第一半导体区域；

(c)在所述半导体衬底的所述主表面之上，形成具有第一侧壁和第二侧壁的栅极电极，具有中介其间的栅极绝缘膜；

(d)在所述栅极电极的所述第一侧壁侧，在所述p型第一半导体区域中，形成n型第二半导体区域；

(e)形成第一绝缘膜，以便覆盖所述半导体衬底的所述主表面、以及所述栅极电极；

(f)对所述第一绝缘膜进行各向异性蚀刻，并且在所述栅极电极的所述第二侧壁之上，形成侧壁间隔件；

(g)在所述栅极电极的所述第二侧壁侧，通过将所述半导体衬底的所述主表面氧化，形成氧化物膜；

(h)去除所述氧化物膜；以及

(i)在所述栅极电极的所述第二侧壁侧，在所述p型第一半导体区域中，形成n型第三半导体区域；

所述光电二极管包括所述第一半导体区域和所述第二半导体区域；并且

所述传输晶体管包括所述栅极电极、所述第二半导体区域和所述第三半导体区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述工艺步骤(f)处，通过使用含碳或者氟的蚀刻气体，来进行所述各向异性蚀刻。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述工艺步骤(f)处，所述各向异性蚀刻在向所述半导体衬底施加RF偏压的状态下进行。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中所述第一绝缘膜包括氮化硅膜或者氮氧化硅膜。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述工艺步骤(f)处，在所述第一绝缘膜之上，形成光致抗蚀剂图案，以便覆盖在其中形成有所述第二半导体区域的区域。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，

其中所述光致抗蚀剂图案包括光致抗蚀剂膜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述光致抗蚀剂膜中包含杂质，所述杂质包括Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu、Mn、Cr、Ni、Al、Li、Sn、S或者I。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中在所述工艺步骤(h)处，所述氧化物膜通过湿法蚀刻方法被去除。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中所述制造方法在所述工艺步骤(d)之后，进一步包括工艺步骤(j)：在所述栅极电极的所述第一侧壁侧，在所述p型第一半导体区域中，形成p型第四半导体区域，并且

所述第四半导体区域比所述第二半导体区域更浅。