[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

2014年6月4日提交的日本专利申请2014-116029号的公开，包括说明书、附图和摘要，以引用的方式全部并入本文。

背景技术

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，并且可以有利地用于包括例如固态图像感测器件的半导体器件的制造方法。

作为固态图像感测装置，已经研发了使用CMOS(互补金属氧化物半导体)的固态图像感测器件(CMOS图像传感器)。CMOS图像传感器被配置为多个包括具有光电二极管和传输晶体管的像素。

在日本特开2005-142319号公报(专利文件1)中，公开了一种去除附接至沟槽的底面的金属污染物的技术。根据其摘要，将衬底的温度控制在200℃至600℃，由等离子提供激发能量，由此在硅膜的表面上导致氧化反应。结果，在硅膜的暴露在沟槽中的表面之上形成氧化硅膜。金属污染物附着在氧化硅膜与硅膜之间的界面处，并且形成金属硅化物。通过HF系溶液去除氧化硅膜。据此，也去除金属硅化物。

在日本特开2008-60383号公报(专利文件2)中，公开了一种可以形成具有高可靠性的栅极绝缘膜的技术。根据其摘要，在硅衬底的表面之上形成凹槽之后，清洁凹槽的内表面以去除污染物，并且接着通过使用通过在200℃或者更低的温度下使含氟气体和氧气离子化而生成的自由基进行各向同性蚀刻，来去除在凹槽的内表面之上的缺陷层。

在日本特开2006-59842号公报(专利文件3)中，公开了一种通过元件隔离(STI)部来抑制在衬底中产生的应力、并且缓解接合泄漏电流的问题的技术。根据示例3，在当通过各向同性干法蚀刻在硅衬底中形成凹槽时形成在该凹槽内部的损伤层，通过各向异性蚀刻被去除。

引文列表

专利文件

专利文件1：日本特开2005-142319号公报

专利文件2：日本特开2008-060383号公报

专利文件3：日本特开2006-059842号公报

发明内容

在也具有光电二极管的半导体器件中，需要最大可能程度地改进性能，以例如减少暗时白点(dark-timewhitespot)、暗时白色缺陷(dark-timewhitedefect)等。

其他问题和新颖特征将通过在本说明书中的说明和对应附图而显而易见。

根据一个实施例，在半导体衬底之上进行各向异性蚀刻形成的损伤层，通过如下工艺而被去除：对用以覆盖传输晶体管的栅极电极的绝缘膜进行各向异性蚀刻；在栅极电极的在漏极侧的侧壁之上形成侧壁间隔件；之后在半导体衬底表面之上形成牺牲氧化物膜；以及去除该牺牲氧化物膜。

根据实施例，可以改进半导体器件的性能。

附图说明

图1是示出了根据一个实施例的半导体器件的配置示例的电路框图。

图2是示出了像素的配置示例的电路图。

图3是示出了在根据一个实施例的半导体器件中的像素的平面图。

图4是示出了在形成有根据一个实施例的半导体器件的芯片区域的平面图。

图5是示出了形成在根据一个实施例的半导体器件的外围电路区域中的晶体管的平面图。

图6是示出了根据一个实施例的半导体器件的实质部分的截面图。

图7是示出了根据一个实施例的半导体器件的实质部分的截面图。

图8是示出了在制造工艺期间的根据一个实施例的半导体器件的实质部分的截面图。

图9是示出了在与如图8所示的相同制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图10是示出了在图8之后的制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图11是示出了在与如图10所示的相同制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图12是示出了在图10之后的制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图13是示出了在与如图12所示的相同制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图14是示出了在图12之后的制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图15是示出了在与如图14所示的相同制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图16是示出了在图14之后的制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图17是示出了在与如图16所示的相同制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。

图18是示出了在图16之后的制造工艺期间的半导体器件的实质部分的截面图。