[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201510294267.0 申请日: 2015-06-02
公开(公告)号: CN105140183A 公开(公告)日: 2015-12-09
发明(设计)人: 中村胜 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/268;H01L21/683
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供晶片的加工方法。该方法是将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片,该方法包含以下的工序:改性层形成工序,沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线,使会聚点定位于晶片内部,在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层;以及背面磨削工序,在实施该保护膜形成工序、该保护带粘贴工序以及该改性层形成工序之后,一边供给磨削水一边磨削晶片的背面来薄化至规定的厚度,并且将晶片以改性层为断裂起点,沿着分割预定线分割为各个器件芯片,在实施背面磨削工序之前,实施以下的工序,保护膜形成工序,在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜;保护带粘贴工序,在该保护膜的正面上粘贴保护带。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种晶片的加工方法,将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片,在该晶片的正面上以格子状形成了多个分割预定线,并且在由该多个分割预定线划分的各区域内形成了器件,该晶片的加工方法的特征在于,具备以下的工序:保护膜形成工序,在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜;保护带粘贴工序,在该保护膜的正面上粘贴保护带;改性层形成工序,使会聚点定位于晶片内部而沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层;以及背面磨削工序,在实施该保护膜形成工序、该保护带粘贴工序以及该改性层形成工序之后,一边供给磨削水一边磨削晶片的背面来薄化至规定的厚度,并且以改性层为断裂起点,将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片。
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