[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201510294267.0 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN105140183A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/268;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片,在该晶片的正面上以格子状形成了多个分割预定线,并且在由该多个分割预定线划分的各区域内形成了器件,该晶片的加工方法的特征在于,具备以下的工序:
保护膜形成工序,在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜;
保护带粘贴工序,在该保护膜的正面上粘贴保护带;
改性层形成工序,使会聚点定位于晶片内部而沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层;以及
背面磨削工序,在实施该保护膜形成工序、该保护带粘贴工序以及该改性层形成工序之后,一边供给磨削水一边磨削晶片的背面来薄化至规定的厚度,并且以改性层为断裂起点,将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,该方法还具备以下的工序:
晶片支承工序,在实施该背面磨削工序之后,在分割为各个器件芯片的晶片的背面上粘贴粘结膜,并且在该粘结膜上粘贴外周部已安装到环状框架上的切割带,通过环状框架来支承晶片;
粘结膜断裂工序,在实施该晶片支承工序之后,通过扩张该切割带来使该粘结膜沿着各个器件芯片断裂;以及
保护膜去除工序,在实施该粘结膜断裂工序之后,对各个器件芯片的正面供给清洗液而去除该保护膜。
3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法,其特征在于,
该液状树脂由水溶性树脂构成,该清洗液是清洗水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造