[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及沿着分割预定线来分割晶片的晶片加工方法，该晶片在正面上以格子状形成多个分割预定线并且在由该多个分割预定线划分的多个区域内形成器件。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，利用在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上以格子状排列的分割预定线来划分多个区域，在所划分的区域内形成IC、LSI等器件。通过沿着分割预定线切断这样形成的半导体晶片，来分割已形成器件的区域，制造各个器件芯片。

通常，利用被称为切割锯的切削装置进行对上述半导体晶片的沿着分割预定线的切断。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持半导体晶片或光器件晶片等被加工物；切削单元，其用于切削在该卡盘工作台上保持的被加工物；以及切削进给单元，其使卡盘工作台与切削单元相对地进行移动。切削单元包含主轴单元，该主轴单元具备旋转主轴、在该主轴上安装的切削刀片以及旋转驱动旋转主轴的驱动机构。切削刀片由圆盘状的基台和在该基台的侧面外周部上安装的环状的切割刃构成，切割刃利用电铸在基台上固定例如粒径3μm左右的金刚石磨粒并形成为厚度为20μm左右。

然而，因为切削刀片具有20μm左右的厚度，所以作为划分器件的分割预定线需要50μm左右的宽度，从而具有分割预定线相对于晶片面积所占的面积比率变大、生产性变差这样的问题。

另一方面，近年来作为分割半导体晶片等晶片的方法，如以下这样的被称为内部加工的激光加工方法也已实用化，该内部加工是采用对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在应该分割的区域的内部定位会聚点后照射脉冲激光光线。采用被称为该内部加工的激光加工方法的分割方法是以下这样的技术，从晶片的一个面侧向内部对准会聚点并照射对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改性层，通过形成该改性层来沿着强度降低的分割预定线施加外力，由此使晶片断裂进行分割(例如，参照专利文献1)。

作为如上所述地对沿着分割预定线形成有改性层的晶片，沿着分割预定线施加外力来将晶片分割为各个器件的方法，在下述的专利文献2中公开了以下这样的技术，在安装于环状框架的切割带上粘贴沿着分割预定线形成改性层的晶片，通过扩张切割带来对晶片赋予拉伸力，沿着形成改性层并降低强度的分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。

另外，在下述的专利文献3中公开了以下这样的技术，在沿着分割预定线连续形成改性层的晶片的正面上粘贴保护带，在卡盘工作台上保持保护带侧，然后对晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度，并且将晶片分割为各个器件芯片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-160493号公报

专利文献2：日本特开2005-223282号公报

专利文献3：日本特开2013-165229号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，当在沿着分割预定线连续形成改性层的晶片的正面上粘贴保护带、在卡盘工作台上保持保护带侧并通过对晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度并且将晶片分割为各个器件芯片时，存在如下这样的问题：磨削水从已分割为各个器件芯片的间隙侵入，使器件芯片的侧面以及正面受到污染，器件芯片的品质降低。

另外，当在已分割为各个器件芯片的晶片的背面安装粘结膜并且粘贴切割带并通过扩张该切割带来使粘结膜沿着各个器件芯片进行断裂时，存在如下这样的问题：因为粘结膜形成为比晶片稍大，所以粘结膜的外周部破碎后飞散，附着在器件芯片的正面上而导致器件芯片的品质降低。

本发明是鉴于上述情况而作出的，其主要的技术课题是提供如下的晶片的加工方法：在沿着分割预定线形成改性层的晶片的正面上粘贴保护带、在卡盘工作台上保持保护带侧并对晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度并且将晶片分割为各个器件芯片时，无需污染器件芯片的侧面以及正面就能够实施。

解决问题的手段