[发明专利]压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201510272031.7 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN104992933A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 王孙艳;王亚琴 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/49;H01L21/56 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
地址: | 214434 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法,所述结构包括基板(1),所述基板(1)上贴装有元器件(2)和芯片(3),所述芯片(3)正面与基板(1)正面之间通过焊线(4)相连接,所述基板(1)正面设置有一层绝缘性薄膜(5),所述绝缘性薄膜(5)覆盖于元器件(2)、芯片(3)和焊线(4)外围区域。本发明一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法,它通过压膜技术实现超密间隙的填充,并可通过调整不同厚度的薄膜及配合薄膜刷膜减薄工艺,实现压模式芯片内埋的超薄封装。 | ||
搜索关键词: | 压膜式 芯片 超薄 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构,其特征在于:它包括基板(1),所述基板(1)上贴装有元器件(2)和芯片(3),所述芯片(3)正面与基板(1)正面之间通过焊线(4)相连接,所述基板(1)正面设置有一层绝缘性薄膜(5),所述绝缘性薄膜(5)覆盖于元器件(2)、芯片(3)和焊线(4)外围区域。
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