[发明专利]压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

在当今电子信息时代，各类电子整机正向微小型化方面发展，驱动着半导体元器件往小型化、微型化方向发展，有些传感器功能器件为达到更好的信号感测能力，对于封装的薄形化提出了更高的要求。目前现有技术基本都是通过降低塑封体厚度的手段实现。现有塑胶模具体分两类，一类是铸塑模，通过降低模具塑封腔体厚度；另一类是压缩模，通过减少塑封料含量，实现薄形化封装需求。

目前铸塑模实现超薄化封装面临的困难：

1、一套模具的腔体厚度是固定的，无法满足灵活多变的封装体厚度要求。面对多变的封装体厚度，需要开不同腔体厚度的模具，治具成本和管理成本较高；

2、超薄化的腔体厚度，对于塑封料的材料特性要求苛刻，制程工艺将面临芯片超薄化碎片、超低线弧弧高控制不稳定、塑封料填充困难，露芯片，反包空洞、翘曲等一系列工艺问题；

3、对于超薄化密间距空隙的填充，制程工艺将面临填充性困难、塑封树脂溢胶等工艺问题。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法，它通过压膜技术实现超密间隙的填充，并可通过调整不同厚度的薄膜及配合薄膜刷膜减薄工艺，实现压模式芯片内埋的超薄封装。

本发明的目的是这样实现的：一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构，它包括基板，所述基板上贴装有元器件和芯片，所述芯片正面与基板正面之间通过焊线相连接，所述基板正面设置有一层绝缘性薄膜，所述绝缘性薄膜覆盖于元器件、芯片和焊线外围区域。

一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构的制造方法，

步骤一、取一基板；

步骤二、在基板上进行芯片和元器件的贴片作业；

步骤三、对基板表面和芯片表面进行打线作业；

步骤四、基板正面压合一层绝缘性薄膜；

步骤五、绝缘性薄膜受热流动完成对芯片、元器件和焊线的压膜封装。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

1、通过压膜技术，实现将芯片、元件、焊线等系统级封装模块单元的埋入；

2、通过薄膜厚度调整及配合薄膜刷膜技术，实现超密间隙的填充和超薄式封装，给半导体元器件往小型化、微型化方向发展提供一种更具优势和灵活性的封装手段。

附图说明

图1为本发明一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构的示意图。

其中：

基板1

元器件2

芯片3

焊线4

绝缘性薄膜5。

具体实施方式

参见图1，本发明一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构，它包括基板1，所述基板1上贴装有元器件2和芯片3，所述芯片3正面与基板1正面之间通过焊线4相连接，所述基板1正面设置有一层绝缘性薄膜5，所述绝缘性薄膜5覆盖于元器件2、芯片3和焊线4外围区域。

其制造方法如下：

步骤一、取一基板；

步骤二、在基板上进行芯片和元器件的贴片作业；

步骤三、对基板表面和芯片表面进行打线作业；

步骤四、基板正面压合一层绝缘性薄膜；

步骤五、绝缘性薄膜受热流动完成对芯片、元器件和焊线的压膜封装。