[发明专利]压膜式芯片内埋的超薄封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510272031.7 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104992933A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 王孙艳;王亚琴 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L21/56 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压膜式 芯片 超薄 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种压膜式芯片内埋的超薄封装结构，其特征在于：它包括基板（1），所述基板（1）上贴装有元器件（2）和芯片（3），所述芯片（3）正面与基板（1）正面之间通过焊线（4）相连接，所述基板（1）正面设置有一层绝缘性薄膜（5），所述绝缘性薄膜（5）覆盖于元器件（2）、芯片（3）和焊线（4）外围区域。
2.一种如权利要求1所述的压膜式芯片内埋的超薄封装结构的制造方法，其特征在于：
步骤一、取一基板；
步骤二、在基板上进行芯片和元器件的贴片作业；
步骤三、对基板表面和芯片表面进行打线作业；
步骤四、基板正面压合一层绝缘性薄膜；
步骤五、绝缘性薄膜受热流动完成对芯片、元器件和焊线的压膜封装。
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