[发明专利]等离子处理方法及装置有效
| 申请号： | 201510271528.7 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105321813B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 针贝笃史;松原功幸;广岛满 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 穆德骏;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子处理方法及装置，防止因等离子处理导致搬运载体的保持片受到热损伤。所述等离子处理方法执行如下工序：第一工序，在设置在处理室(5)内的冷却后的工作台(11)上载置保持有基板(2)的搬运载体(4)；第二工序，在使设置在工作台(11)上的罩(24)与工作台(11)相对移动而使基板(2)从形成在罩(24)上的窗部(25)露出的状态下，覆盖搬运载体(4)的保持片(6)和框架(7)；第三工序，对保持在搬运载体(4)上的基板(2)进行等离子处理；第四工序，对罩(24)进行冷却；及第五工序，将保持有基板(2)的搬运载体(4)从处理室(5)搬出。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子处理 搬运 基板 工作台 冷却 方法执行 相对移动 热损伤 搬出 窗部 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理方法，在处理室内对保持在搬运载体上的基板实施等离子处理，所述搬运载体由环状框架和保持片构成，所述等离子处理方法的特征在于具有如下工序：第一工序，在设于所述处理室内的冷却后的工作台上载置保持有所述基板的所述搬运载体；第二工序，在使设于所述工作台上的罩与所述工作台相对移动而使所述基板从形成在所述罩上的窗部露出的状态下，覆盖所述搬运载体的所述保持片和所述框架；第三工序，对保持在所述搬运载体上的所述基板进行等离子处理；第四工序，对所述罩进行冷却；及第五工序，从所述处理室搬出保持有所述基板的所述搬运载体，所述第四工序是通过在所述第三工序结束后设置预定等待时间而对所述罩进行冷却的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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