[发明专利]等离子处理方法及装置有效
申请号: | 201510271528.7 | 申请日: | 2015-05-25 |
公开(公告)号: | CN105321813B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 针贝笃史;松原功幸;广岛满 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆德骏;谢丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子处理 搬运 基板 工作台 冷却 方法执行 相对移动 热损伤 搬出 窗部 覆盖 | ||
1.一种等离子处理方法,在处理室内对保持在搬运载体上的基板实施等离子处理,所述搬运载体由环状框架和保持片构成,所述等离子处理方法的特征在于具有如下工序:
第一工序,在设于所述处理室内的冷却后的工作台上载置保持有所述基板的所述搬运载体;
第二工序,在使设于所述工作台上的罩与所述工作台相对移动而使所述基板从形成在所述罩上的窗部露出的状态下,覆盖所述搬运载体的所述保持片和所述框架;
第三工序,对保持在所述搬运载体上的所述基板进行等离子处理;
第四工序,对所述罩进行冷却;及
第五工序,从所述处理室搬出保持有所述基板的所述搬运载体,
所述第四工序是通过在所述第三工序结束后设置预定等待时间而对所述罩进行冷却的工序。
2.根据权利要求1所述的等离子处理方法,其特征在于,
在所述第三工序中,将所述搬运载体静电吸附在所述工作台上,
在所述第三工序和所述第五工序之间,在停止向所述工作台静电吸附所述搬运载体之后,进行用于去除所述搬运载体的带电的除电处理。
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理方法,其特征在于,
所述第四工序是通过对所述罩供给导热气体而对所述罩进行冷却的工序。
4.根据权利要求1或2所述的等离子处理方法,其特征在于,
所述第四工序是在使所述罩和所述工作台的距离比所述第二工序时远的状态下进行的。
5.一种等离子处理装置,在处理室内对保持在搬运载体上的基板实施等离子处理,所述搬运载体由环状框架和保持片构成,所述等离子处理装置的特征在于具备:
冷却后的工作台,设置在所述处理室内,载置有所述搬运载体;
罩,具有窗部,设置在所述工作台上,在使所述基板从所述窗部露出的状态下,覆盖所述搬运载体的所述保持片和所述框架;
驱动单元,能够使所述工作台与所述罩相对接近和远离;
等离子体发生单元,对保持在所述搬运载体上的所述基板实施等离子处理;及
控制单元,执行如下处理:搬入所述搬运载体并载置在所述工作台上的搬入处理、通过驱动所述驱动单元而以所述罩来覆盖载置在所述工作台上的所述搬运载体并通过驱动所述等离子体发生单元而产生等离子体的等离子处理、对所述罩进行冷却的罩冷却处理及搬出所述搬运载体的搬出处理,
所述控制单元通过在所述等离子处理后设置预定的等待时间而进行所述罩冷却处理。
6.根据权利要求5所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述等离子处理装置具备产生除电等离子体的除电单元,
在所述等离子处理和所述搬出处理之间,在停止向所述工作台静电吸附所述搬运载体之后,所述控制单元执行用于去除所述搬运载体的带电的除电处理。
7.根据权利要求5或6所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述等离子处理装置具备对所述罩供给导热气体的气体供给单元,
所述控制单元通过由所述气体供给单元对所述罩供给所述导热气体而进行所述罩冷却处理。
8.根据权利要求5或6所述的等离子处理装置,其特征在于,
在所述等离子处理和所述搬出处理之间,所述控制单元驱动所述驱动单元而使所述罩与所述工作台之间的距离比对所述基板实施等离子处理时远。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下知识产权经营株式会社,未经松下知识产权经营株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510271528.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造