[发明专利]一种PC眼镜片镀膜方法

摘要

本发明公开了一种PC眼镜片镀膜方法，本发明的方法通过真空蒸发镀膜法在经强化的PC眼镜片表面从内到外依次镀制SiO2层、ZrO2层、SiO2层、ZrO2层、ITO层、SiO2层和防水层，各层之间连接紧密、附着力大，膜层密集度和硬度高，同时消除了内应力，改善了PC眼镜片的光学性能和机械性能。

主权项

一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～95℃烘烤8小时以上，以将吸附在PC眼镜片表面的剩余气体排除，增加基片与沉积分子之间的结合力；增强分子之间相互作用，使膜层紧密，附着力增大，提高机械强度；提高膜层密集度，增加膜层硬度，消除内应力；(2)对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0～2.3×10‑5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70～78℃，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min，氩气流量为18‑23sccm，时间2～5min；(3)利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700～2800μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；(4)利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的SiO2层上镀制厚度为300～370μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，ZrO2固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220～260A；(5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrO2层上镀制厚度为100～160μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；(6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的SiO2层上镀制厚度为820～9000μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，ZrO2固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220～260A；(7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrO2层上镀制厚度为50～120μm的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，ITO固体熔化电压为7～7.4kV，ITO固体熔化电流为10～23A，氧气流量为20‑32sccm，时间1～2min，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min；(8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为800～880μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；(9)利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的SiO2层上镀制厚度为100～170μm的HT‑100层，冷却后即得产品，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，HT‑100固体熔化电压为7～7.4kV，HT‑100固体熔化电流为8～22A。