[发明专利]一种PC眼镜片镀膜方法

权利要求书

1.一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～95℃烘烤8小时以上，以将吸附在PC眼镜片表面的剩余气体排除，增加基片与沉积分子之间的结合力；增强分子之间相互作用，使膜层紧密，附着力增大，提高机械强度；提高膜层密集度，增加膜层硬度，消除内应力；

(2)对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0～2.3×10^-5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70～78℃，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min，氩气流量为18-23sccm，时间2～5min；

(3)利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700～2800μm的SiO₂层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10^-5torr，温度为70～78℃，SiO₂固体熔化电压为7～7.3kV，SiO₂固体熔化电流为115～155A；

(4)利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的SiO₂层上镀制厚度为300～370μm的ZrO₂层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10^-5torr，温度为70～78℃，ZrO₂固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO₂固体熔化电流为220～260A；

(5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrO₂层上镀制厚度为100～160μm的SiO₂层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10^-5torr，温度为70～78℃，SiO₂固体熔化电压为7～7.3kV，SiO₂固体熔化电流为115～155A；

(6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的SiO₂层上镀制厚度为820～9000μm的ZrO₂层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10^-5torr，温度为70～78℃，ZrO₂固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO₂固体熔化电流为220～260A；

(7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrO₂层上镀制厚度为50～120μm的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10^-5torr，温度为70～78℃，ITO固体熔化电压为7～7.4kV，ITO固体熔化电流为10～23A，氧气流量为20-32sccm，时间1～2min，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min；

(8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为800～880μm的SiO₂层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10^-5torr，温度为70～78℃，SiO₂固体熔化电压为7～7.3kV，SiO₂固体熔化电流为115～155A；

(9)利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的SiO₂层上镀制厚度为100～170μm的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10^-5torr，温度为70～78℃，HT-100固体熔化电压为7～7.4kV，HT-100固体熔化电流为8～22A。

2.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(1)为：将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～90℃烘烤8～10小时。

3.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：所述步骤(2)为：对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0×10^-5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70～75℃，离子轰击速率为180a/sec，时间为2～4min，氩气流量为20-22sccm，时间3min。