[发明专利]具有无掺杂本体块的鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201510268708.X | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097935B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 肖姆·波诺斯;赫曼特·维纳亚克·德什潘德 | 申请（专利权）人： | 安华高科技通用IP（新加坡）公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本公开涉及具有无掺杂本体块的鳍式场效应晶体管。提供了用于实现基于无掺杂本体块硅的器件，诸如场效应晶体管(FET)和鳍式场效应晶体管(FinFET)的系统和方法。在实施方式中，一旦形成抗穿通部(PTS)层，使用外延生长技术来形成FinFET的鳍部的有源区的硅。在实施方式中，根据本公开的实施方式的外延生长技术制造在有源区中具有小凹口的鳍部。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效应晶体管 外延生长技术 掺杂 源区 鳍部 场效应晶体管 穿通部 小凹口 制造 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管，包括：源极；漏极；以及鳍部，位于所述源极与所述漏极之间，其中，所述鳍部包括：第一部分，第二部分，其中，所述第二部分在所述源极与所述漏极之间形成导电沟道，并且其中，所述第二部分包括在所述第二部分的硅中的凹口，以及抗穿通部，位于所述第一部分与所述第二部分之间，其中所述凹口相对于所述抗穿通部向外延伸。
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