[发明专利]具有无掺杂本体块的鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201510268708.X | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097935B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 肖姆·波诺斯;赫曼特·维纳亚克·德什潘德 | 申请（专利权）人： | 安华高科技通用IP（新加坡）公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍式场效应晶体管 外延生长技术 掺杂 源区 鳍部 场效应晶体管 穿通部 小凹口 制造 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管，包括：
源极；
漏极；以及
鳍部，位于所述源极与所述漏极之间，其中，所述鳍部包括：
第一部分，
第二部分，其中，所述第二部分在所述源极与所述漏极之间形成导电沟道，并且其中，所述第二部分包括在所述第二部分的硅中的凹口，以及
抗穿通部，位于所述第一部分与所述第二部分之间，其中所述凹口相对于所述抗穿通部向外延伸。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述第一部分是从所述鳍式场效应晶体管的阱区形成的无源区。
3.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述凹口的长度为2纳米。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述第二部分的宽度为10纳米。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述抗穿通部的厚度为10纳米。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述第一部分使用硅凹进工艺形成，并且其中，所述第二部分使用外延生长工艺形成在所述第一部分的顶部上。
7.一种鳍式场效应晶体管，包括：
源极；
漏极；以及
鳍部，位于所述源极与所述漏极之间，其中，所述鳍部包括：
无源区，从所述鳍式场效应晶体管的阱区形成，
抗穿通部，位于所述无源区上方，以及
有源区，位于所述抗穿通部上方，其中，所述有源区在所述源极与所述漏极之间形成导电沟道，并且其中，所述有源区包括在所述有源区的硅中的从所述抗穿通部和所述无源区向外延伸的凹口。
8.根据权利要求7所述的鳍式场效应晶体管，进一步包括：
第二源极；
第二漏极；以及
第二鳍部，位于所述第二源极与所述第二漏极之间，其中，所述第二鳍部包括第二抗穿通部。
9.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，所述方法包括：
使用硅凹进工艺去除晶体管的鳍部的第一部分以形成所述鳍部的剩余部分；
在所述鳍部的剩余部分的顶部上形成抗穿通部；并且
使用外延生长工艺在所述抗穿通部的顶部上形成所述鳍部的第二部分，使得所述第二部分包括在所述第二部分的硅中的从所述抗穿通部和所述鳍部的剩余部分向外延伸的凹口。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述鳍部的剩余部分是所述鳍部的无源区，并且其中，所述第二部分是所述鳍部的有源区。
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