[发明专利]一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510255980.4 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104894529A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 吴胜利;张程高;魏强;王宏兴;胡文波;张劲涛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/511;C23C16/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动；2)将经步骤1)处理后的金属钼基板通过MPCVD沉积设备以甲烷、氢气及氧气的混合气体为反应气体进行金刚石薄膜生长，得用于二次电子发射的金刚石薄膜，其中，甲烷、氧气及氧气的体积百分比为4-6：94-96：0-2，生长过程中MPCVD沉积设备的微波功率为4500-5000w，温度为1050-1100℃。本发明制备的金刚石薄膜具有较高的二次电子发射系数及更好的衰减特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 二次电子 发射 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动，然后再对金属钼基板进行清洗；2)将经步骤1)处理后的金属钼基板通过MPCVD沉积设备以甲烷、氢气及氧气的混合气体为反应气体进行金刚石薄膜生长，得用于二次电子发射的金刚石薄膜，其中，甲烷、氧气及氧气的体积百分比为4‑6：94‑96：0‑2，生长过程中MPCVD沉积设备的微波功率为4500‑5000w，温度为1050‑1100℃。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
