[发明专利]一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动，然后再对金属钼基板进行清洗；

2)将经步骤1)处理后的金属钼基板通过MPCVD沉积设备以甲烷、氢气及氧气的混合气体为反应气体进行金刚石薄膜生长，得用于二次电子发射的金刚石薄膜，其中，甲烷、氧气及氧气的体积百分比为4-6：94-96：0-2，生长过程中MPCVD沉积设备的微波功率为4500-5000w，温度为1050-1100℃。

2.根据权利要求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属钼基板的待沉积面为平面或圆弧面。

3.根据权利要求2所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，当金属钼基板的待沉积面为平面时，步骤1)的具体操作为：取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨15-20min，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动5-20min。

4.根据权利要求2所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，当金属钼基板的待沉积面为圆弧面时，步骤1)的具体操作为：取金属钼基板，然后将金属钼基板通过金刚石粉进行研磨20-25min，再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中进行超声震动5-20min。

5.根据权利要求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中将金属钼基板通过粒径为1-10μm的金刚石粉进行研磨。

6.根据权利要求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中的金刚石粉的悬浊液为金刚石粉的丙酮悬浊液。

7.根据权利要求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中对金属钼基板进行清洗的具体操作为：通过丙酮溶液、酒精及去离子依次对金属钼基板进行超声清洗。