[发明专利]在基板上制作氧化硅薄膜的方法以及薄膜晶体管阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201510246686.7 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104947072B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 杨依辉;蓝庆新;杨信昭 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/52;H01L21/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215301 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在基板上制作氧化硅薄膜的方法，该方法包括提供PECVD装置，该PECVD装置包括成膜腔室，该成膜腔室内设有扩散板和基座，其中该基座位于该扩散板下方；将基板置于该成膜腔室内，使该基板支撑在该基座上；经由该扩散板向该成膜腔室内通入笑气和硅烷，其中笑气的气体流量控制在25000～27000sccm之间，笑气与硅烷的气体流量比控制在50～70之间；向该成膜腔室内施加在4000～4600W之间的射频功率，在该基板上开始沉积形成氧化硅薄膜，且在沉积成膜期间，保持该基座与该扩散板之间的间距在500～600mil之间，保持该基板的温度在150～250℃之间，保持该成膜腔室内的气压在1000～1300mTorr之间；以及控制沉积成膜的时间在80～120s之间。本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基板上 制作 氧化 薄膜 方法 以及 薄膜晶体管 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种在基板上制作氧化硅薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：提供PECVD装置，该PECVD装置包括成膜腔室，该成膜腔室内设有扩散板和基座，其中该基座位于该扩散板下方；将基板置于该成膜腔室内，使该基板支撑在该基座上；经由该扩散板向该成膜腔室内通入笑气和硅烷，其中笑气的气体流量控制在25000～27000sccm之间，笑气与硅烷的气体流量比控制在50～70之间；向该成膜腔室内施加在4000～4600W之间的射频功率，在该基板上开始沉积形成氧化硅薄膜，且在沉积成膜期间，保持该基座与该扩散板之间的间距在500～600mil之间，保持该基板的温度在150～250℃之间，保持该成膜腔室内的气压在1000～1300mTorr之间；以及控制沉积成膜的时间在80～120s之间。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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