[发明专利]在基板上制作氧化硅薄膜的方法以及薄膜晶体管阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种在基板上制作氧化硅薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：

提供PECVD装置，该PECVD装置包括成膜腔室，该成膜腔室内设有扩散板和基座，其中该基座位于该扩散板下方；

将基板置于该成膜腔室内，使该基板支撑在该基座上；

经由该扩散板向该成膜腔室内通入笑气和硅烷，其中笑气的气体流量控制在25000～27000sccm之间，笑气与硅烷的气体流量比控制在50～70之间；

向该成膜腔室内施加在4000～4600W之间的射频功率，在该基板上开始沉积形成氧化硅薄膜，且在沉积成膜期间，保持该基座与该扩散板之间的间距在500～600mil之间，保持该基板的温度在150～250℃之间，保持该成膜腔室内的气压在1000～1300mTorr之间；以及

控制沉积成膜的时间在80～120s之间。

2.如权利要求1所述的在基板上制作氧化硅薄膜的方法，其特征在于，该基座是活动的，该基座在被驱动时可相对该扩散板上下移动，且该基座内设置有加热装置。

3.如权利要求2所述的在基板上制作氧化硅薄膜的方法，其特征在于，将该基板置于该成膜腔室内，使该基板支撑在该基座上的步骤具体包括：

首先将该基板支撑放置设于该成膜腔室内的多个支撑柱上；以及

然后驱动该基座从该基板下方向上靠近该基板移动，直至该基板贴合并支撑在该基座上。

4.如权利要求1所述的在基板上制作氧化硅薄膜的方法，其特征在于，该扩散板连接有射频产生器，该扩散板与该成膜腔室的内壁绝缘，该基座接地并与该成膜腔室的内壁连接。

5.如权利要求1所述的在基板上制作氧化硅薄膜的方法，其特征在于，针对笑气和硅烷，在各自的输入管路上连接有质量流量控制器，通过该质量流量控制器对通入的气体流量进行控制。

6.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：

在基板上制作形成栅极；

在该栅极上制作形成栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上制作形成半导体层；

在该半导体层上制作形成刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层由氧化硅薄膜制成，制作该刻蚀阻挡层的具体步骤包括：首先利用如权利要求1至5任一项所述的方法在该半导体层上制作形成一层氧化硅薄膜，然后再对该氧化硅薄膜进行图案化；

在该刻蚀阻挡层上制作形成源极和漏极；以及

在该源极和该漏极上制作形成保护层。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法进一步地还对该保护层进行图案化，在该保护层中于对应该漏极的位置处制作形成通孔；以及还在该保护层上制作形成像素电极层，该像素电极层填入该通孔内使该像素电极层与该漏极相接触。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法进一步地在该半导体层与该刻蚀阻挡层之间形成一层掺杂半导体层，该源极和该漏极通过该掺杂半导体层与该半导体层相接触。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法进一步地在该栅极绝缘层上制作形成像素电极层，该像素电极层与该漏极直接接触，同时在该保护层上制作形成公共电极层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法进一步地在该半导体层与该刻蚀阻挡层之间形成一层掺杂半导体层，该源极和该漏极通过该掺杂半导体层与该半导体层相接触。