[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201510242728.X | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN105097483B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 卡尔·普利瓦西尔 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;金玲<国际申请>=<国际公布>=< |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 晶片的加工方法。在晶片的正面具有形成了多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,并且形成有对应于该器件区域的背面被磨削为规定的厚度的圆形凹部和围绕该圆形凹部且对应于该外周剩余区域的环状凸部,加工方法具有:第一带贴附步骤,在晶片的正面贴附第一带,并将晶片隔着该第一带安装于第一环状框架上;分离步骤,在实施了该第一带贴附步骤后,隔着该第一带通过卡盘台保持晶片,对该环状凸部与该器件区域之间的边界照射激光束,将晶片与该第一带一起截断,分离为该器件区域和该环状凸部;以及去除步骤,在实施了该分离步骤后,将隔着该第一带安装于该第一环状框架上的该环状凸部与该第一环状框架一起从晶片的该器件区域上去除。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,该晶片在正面具有形成了多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,且该晶片形成有圆形凹部和环状凸部,其中,该圆形凹部是与该器件区域对应的背面被磨削为规定的厚度而形成的,该环状凸部围绕该圆形凹部并与该外周剩余区域对应,/n该晶片的加工方法的特征在于,具有:/n第一带贴附步骤,在晶片的正面贴附第一带,并且隔着该第一带将晶片安装于第一环状框架上;/n分离步骤,在实施了该第一带贴附步骤后,通过卡盘台隔着该第一带保持晶片,实施检测环状凸部与器件区域之间的边界的校准,在校准实施后,对该环状凸部与该器件区域之间的该边界的全周照射激光束,将晶片与该第一带一起被所述激光束截断,分离为该器件区域和该环状凸部;以及/n去除步骤,在实施了该分离步骤后,将隔着该第一带安装于该第一环状框架上的该环状凸部与该第一环状框架一起从晶片的该器件区域去除,/n由此,在不破损所述环状凸部的情况下容易地将其从器件区域上去除,同时使切口小于通过切刀切割时的大小而最大限度地保证有效的器件区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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