[发明专利]晶片的加工方法

说明书

晶片的加工方法。在晶片的正面具有形成了多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，并且形成有对应于该器件区域的背面被磨削为规定的厚度的圆形凹部和围绕该圆形凹部且对应于该外周剩余区域的环状凸部，加工方法具有：第一带贴附步骤，在晶片的正面贴附第一带，并将晶片隔着该第一带安装于第一环状框架上；分离步骤，在实施了该第一带贴附步骤后，隔着该第一带通过卡盘台保持晶片，对该环状凸部与该器件区域之间的边界照射激光束，将晶片与该第一带一起截断，分离为该器件区域和该环状凸部；以及去除步骤，在实施了该分离步骤后，将隔着该第一带安装于该第一环状框架上的该环状凸部与该第一环状框架一起从晶片的该器件区域上去除。

技术领域

本发明涉及从在背面形成有圆形凹部和围绕圆形凹部的环状凸部的晶片上去除环状凸部的晶片的加工方法。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在呈大致圆板形状的半导体晶片(以下，也简称为晶片)的正面被呈格子状排列的被称作切割线的分割预定线划分出多个区域，并在该被划分出的区域上形成IC、LSI等的器件。而且，通过切削装置沿着切割线切削半导体晶片，从而半导体晶片被分割为各个半导体芯片(器件)。

在沿着切割线切削待分割的晶片之前，先磨削其背面使之形成为规定的厚度。近些年来，为了达成电气设备的轻量化、小型化，要求进一步降低晶片的厚度，例如为50μm左右。

如上较薄形成的晶片如纸般不存在腰部而难以处理，在搬运等时可能发生破损。于是，例如在日本特开2007-19461号公报中提出了如下的磨削方法，仅磨削对应于晶片的器件区域的背面，并且在与围绕器件区域的外周剩余区域对应的晶片的背面上形成加强用的环状凸部。

作为如上沿着切割线(分割预定线)分割在背面的外周上形成有环状凸部的晶片的方法，已提出了在去除了环状凸部后，通过切削刀从晶片的正面侧切削的方法(参照日本特开2007-19379号公报)。

在日本特开2007-17379号公报中，作为去除环状凸部的方法，公开了通过磨削去除环状凸部的方法、以及在通过切削刀将圆形凹部与环状凸部的界面切削为圆形后，去除环状凸部的方法。

专利文献1日本特开2007-19461号公报

专利文献2日本特开2007-19379号公报

然而，在从器件区域上去除环状凸部时，会存在环状凸部易于破损、环状凸部破损而损伤器件区域、需要用于去除环状凸部的特殊装置等问题，去除环状凸部时存在难度。

发明内容

本发明就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种在不破损环状凸部的情况下能够容易去除的晶片的加工方法。

本发明提供一种晶片的加工方法，该晶片在正面具有形成了多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，且形成有与该器件区域对应的背面被磨削为规定的厚度的圆形凹部和围绕该圆形凹部的与该外周剩余区域对应的环状凸部，该晶片的加工方法的特征在于，具有：第一带贴附步骤，在晶片的正面贴附第一带，并且隔着该第一带将晶片安装于第一环状框架上；分离步骤，在实施了该第一带贴附步骤后，隔着该第一带通过卡盘台保持晶片，对该环状凸部与该器件区域之间的边界照射激光束，将晶片与该第一带一起截断，分离为该器件区域和该环状凸部；以及去除步骤，在实施了该分离步骤后，将隔着该第一带安装于该第一环状框架上的该环状凸部与该第一环状框架一起从晶片的该器件区域去除。

本发明的晶片的加工方法还具有：第二带贴附步骤，在实施了该去除步骤后，在仅由该器件区域构成的晶片的背面贴附第二带，并隔着该第二带将晶片安装于第二环状框架上；第一带去除步骤，在实施该第二带贴附步骤之前或之后，从晶片的正面去除该第一带；以及分割步骤，在实施了该第二带贴附步骤和该第一带去除步骤后，将晶片分割为各个器件。