[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面具有形成了多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，且该晶片形成有圆形凹部和环状凸部，其中，该圆形凹部是与该器件区域对应的背面被磨削为规定的厚度而形成的，该环状凸部围绕该圆形凹部并与该外周剩余区域对应，

该晶片的加工方法的特征在于，具有：

第一带贴附步骤，在晶片的正面贴附第一带，并且隔着该第一带将晶片安装于第一环状框架上；

分离步骤，在实施了该第一带贴附步骤后，通过卡盘台隔着该第一带保持晶片，实施检测环状凸部与器件区域之间的边界的校准，在校准实施后，对该环状凸部与该器件区域之间的该边界的全周照射激光束，将晶片与该第一带一起被所述激光束截断，分离为该器件区域和该环状凸部；以及

去除步骤，在实施了该分离步骤后，将隔着该第一带安装于该第一环状框架上的该环状凸部与该第一环状框架一起从晶片的该器件区域去除，

由此，在不破损所述环状凸部的情况下容易地将其从器件区域上去除，同时使切口小于通过切刀切割时的大小而最大限度地保证有效的器件区域。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该加工方法还具有：

第二带贴附步骤，在实施了该去除步骤后，对仅由该器件区域构成的晶片的背面贴附第二带，并隔着该第二带将晶片安装于第二环状框架上；

第一带去除步骤，在实施该第二带贴附步骤之前或之后，从晶片的正面去除该第一带；以及

分割步骤，在实施了该第二带贴附步骤和该第一带去除步骤后，将晶片分割为各个器件。

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，该加工方法还具有：

保护膜覆盖步骤，在实施该分离步骤之前，在晶片的背面覆盖水溶性保护膜；以及

保护膜去除步骤，在至少实施了该保护膜覆盖步骤和该分离步骤后，对晶片的背面供给清洗水而去除该保护膜。