[发明专利]一种量子点薄膜阵列制备方法在审
| 申请号： | 201510238602.5 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104835783A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李俊韬;赖娟;谭永楠;杨立诚;陈朝涛;刘忆琨;周建英 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林伟斌 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料与纳米结构以及显示应用技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，包含以下步骤：a.将衬底（1）清洗干净；b.在衬底（1）上均匀涂光刻胶（2）；对光刻胶（2）进行光刻处理，在衬底（1）上形成光栅图案（3）；c.在衬底（1）上沉积第一种量子点（4）；d.在第一种量子点（4）上镀保护层（5）；e.清除光刻胶（2）；f.再次在衬底（1）上均匀涂光刻胶（2）；对光刻胶（2）进行套刻处理，在衬底（1）上形成光栅图案（3’）；g.在衬底（1）上沉积第二种量子点（6）；h.在第二种量子点（6）上镀保护层（5）；i. 清除光刻胶（2）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 薄膜 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，包含以下步骤：a.将衬底（1）清洗干净；b.在衬底（1）上均匀涂光刻胶（2）；对光刻胶（2）进行光刻处理，在衬底（1）上形成光栅图案（3）；c.在衬底（1）上沉积第一种量子点（4）；d.在第一种量子点（4）上镀保护层（5）；e.清除光刻胶（2）；f.再次在衬底（1）上均匀涂光刻胶（2）；对光刻胶（2）进行套刻处理，在衬底（1）上形成光栅图案（3’）；g.在衬底（1）上沉积第二种量子点（6）；h.在第二种量子点（6）上镀保护层（5）；i. 清除光刻胶（2）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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