[发明专利]一种量子点薄膜阵列制备方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

a.将衬底（1）清洗干净；

b.在衬底（1）上均匀涂光刻胶（2）；对光刻胶（2）进行光刻处理，在衬底（1）上形成光栅图案（3）；

c.在衬底（1）上沉积第一种量子点（4）；

d.在第一种量子点（4）上镀保护层（5）；

e.清除光刻胶（2）；

f.再次在衬底（1）上均匀涂光刻胶（2）；对光刻胶（2）进行套刻处理，在衬底（1）上形成光栅图案（3’）；

g.在衬底（1）上沉积第二种量子点（6）；

h.在第二种量子点（6）上镀保护层（5）；

i. 清除光刻胶（2）。

2.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，第一种量子点（4）为红色量子点、第二种量子点（6）为绿色量子点；或者第一种量子点（4）为绿色量子点、第二种量子点（6）为红色量子点。

3.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤a中衬底（1）为ITO玻璃，所述清洗方式为将ITO玻璃依次经过丙酮超声振荡清洗、异丙醇超声振荡清洗、去离子水超声振荡清洗和热板烘干处理。

4.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤b中涂光刻胶的方式为：在衬底（1）上先后分别以不同的速度均匀旋涂光刻胶（2）。

5.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤b中的光刻方法为：（a）前烘，将涂完光刻胶的衬底（1）放在热板上进行烘烤；（b）曝光，将烘烤后的衬底放在无掩膜曝光机下曝光；（c）后烘，将曝光后的衬底放在热板上进行烘烤；（d）显影，把后烘完成的衬底浸泡在显影液中显影。

6.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，所述保护层（5）为二氧化硅保护层。

7.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，清除光刻胶的方式为将衬底浸泡在丙酮溶液中以清除光刻胶（2）。