[发明专利]基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201510236328.8 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN104934479A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 洪文婷;韩伟华;吕奇峰;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/762;H01L21/02;H01L29/66;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于SOI衬底的III-V族纳米线平面晶体管及制备方法，该晶体管，包括：一SOI衬底；一源区和一漏区，该源区和漏区形成在SOI衬底上；多根III-V族纳米线，该多根III-V族纳米线连接源区与漏区；一SiO2缓冲层，该SiO2缓冲层制作于该源区与漏区的表面；一绝缘介质层，该绝缘介质层制作于该多根III-V族纳米线和该SiO2缓冲层的表面，并完全包裹住该多根III-V族纳米线；一源电极，该源电极制作于该源区的上面；一漏电极，该漏电极制作于该漏区的上面；以及一栅电极，该栅电极制作于该源区与漏区之间的多根III-V族纳米线上，包裹住该多根III-V族纳米线。本发明可实现平面纳米线晶体管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 衬底 纳米 平面 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于SOI衬底的III‑V族纳米线平面晶体管，包括：一SOI衬底；一源区和一漏区，该源区和漏区形成在SOI衬底上；多根III‑V族纳米线，该多根III‑V族纳米线连接源区与漏区；一SiO2缓冲层，该SiO2缓冲层制作于该源区与漏区的表面；一绝缘介质层，该绝缘介质层制作于该多根III‑V族纳米线和该SiO2缓冲层的表面，并完全包裹住该多根III‑V族纳米线；一源电极，该源电极制作于该源区的上面；一漏电极，该漏电极制作于该漏区的上面；以及一栅电极，该栅电极制作于该源区与漏区之间的多根III‑V族纳米线上，包裹住该多根III‑V族纳米线。
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