[发明专利]TFT显示器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种TFT显示器件及其制作方法，TFT显示器件包括：第一金属层，在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。通过上述方式，本发明能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。

主权项

1.一种TFT显示器件，其特征在于，所述TFT显示器件包括：第一金属层，在所述第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在所述第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，所述第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域，所述第一金属层和/或所述第二金属层断开，在所述断开位置使用所述过孔刻蚀掉所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使所述断开位置连接导通；其中，所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域的所述过孔内的材料与所述第一金属层的材料和所述第二金属层的材料不同；所述过孔穿过所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，与所述第一金属层和/或所述第二金属层接触；所述ITO导电薄膜涂覆在所述第二氮化硅薄膜上；所述第一金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与所述第一金属层接触，使所述第一金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通；所述第二金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与第二金属层接触，使所述第二金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通。