[发明专利]TFT显示器件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种TFT显示器件及其制作方法，TFT显示器件包括：第一金属层，在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通。通过上述方式，本发明能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其是涉及一种TFT显示器件及其制作方法。

背景技术

薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)显示器件的制作过程相对比较复杂，需要经过很多个工序才能制作完成，其中又有很多高温工序，比如金属成膜，非金属成膜，干刻等工序，这些工序必须在高温环境下作业，静电放电(Electro-Staticdischarge，ESD)产生的几率相对较高，如果产品的设计对ESD的防护不好，TFT显示器件将很容易被ESD击伤。目前对TFT显示器件ESD防护的措施非常多，也有相对有效的方法。一般ESD容易发生在上下层金属交叠区域，如图1a和图1b所示，当上下两层11和12金属跨线重叠的时候，如果所携带的静电流过大时，上下重叠区13将发生ESD击穿现象。一般做法是将交叠区域13的金属线宽减小，以减少ESD对金属线路的击伤。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种TFT显示器件及其制作方法，能够降低ESD对TFT显示器件的击伤，提高产品良率，提升产品竞争力。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种TFT显示器件，包括：第一金属层，在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；第二金属层，沉积在第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；过孔，在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通；其中，所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域的所述过孔内的材料与所述第一金属层的材料和所述第二金属层的材料不同。

其中，过孔穿过第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，与第一金属层和/或第二金属层接触。

其中，ITO导电薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。

其中，第一金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第一金属层接触，使第一金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。

其中，第二金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第二金属层接触，使第二金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种TFT显示器件的制作方法，包括：在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；在第一氮化硅薄膜上沉积第二金属层，并经过刻蚀形成图案，第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；在第二金属层与第一金属层重叠区域，第一金属层和/或第二金属层断开，在断开位置使用过孔刻蚀掉第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使断开位置连接导通；其中，所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域的所述过孔内的材料与所述第一金属层的材料和所述第二金属层的材料不同。

其中，过孔穿过第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜，与第一金属层和/或第二金属层接触。

其中，ITO导电薄膜涂覆在第二氮化硅薄膜上。

其中，第一金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第一金属层接触，使第一金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。

其中，第二金属层断开时，过孔位置的ITO导电薄膜与第二金属层接触，使第二金属层的断开位置通过ITO导电薄膜连接导通。