[发明专利]TFT显示器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510227667.X | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104867924B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 谢克成;洪日 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518006 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 显示 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种TFT显示器件，其特征在于，所述TFT显示器件包括：
第一金属层，在所述第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；
第二金属层，沉积在所述第一氮化硅薄膜上，经过刻蚀形成图案，所述第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；
过孔，在所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域，所述第一金属层和/或所述第二金属层断开，在所述断开位置使用所述过孔刻蚀掉所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使所述断开位置连接导通；其中，所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域的所述过孔内的材料与所述第一金属层的材料和所述第二金属层的材料不同；
所述过孔穿过所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，与所述第一金属层和/或所述第二金属层接触；所述ITO导电薄膜涂覆在所述第二氮化硅薄膜上；
所述第一金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与所述第一金属层接触，使所述第一金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通；
所述第二金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与第二金属层接触，使所述第二金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通。
2.一种TFT显示器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在第一金属层上沉积第一氮化硅薄膜；
在所述第一氮化硅薄膜上沉积第二金属层，并经过刻蚀形成图案，所述第二金属层上沉积有第二氮化硅薄膜；
在所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域，所述第一金属层和/或所述第二金属层断开，在所述断开位置使用过孔刻蚀掉所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，并沉积ITO导电薄膜以使所述断开位置连接导通；其中，所述第二金属层与所述第一金属层重叠区域的所述过孔内的材料与所述第一金属层的材料和所述第二金属层的材料不同；
其中，所述过孔穿过所述第一氮化硅薄膜和所述第二氮化硅薄膜，与所述第一金属层和/或所述第二金属层接触；所述ITO导电薄膜涂覆在所述第二氮化硅薄膜上；
其中，所述第一金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与所述第一金属层接触，使所述第一金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通；
其中，所述第一金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与所述第一金属层接触，使所述第一金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通；
其中，所述第二金属层断开时，所述过孔位置的所述ITO导电薄膜与第二金属层接触，使所述第二金属层的断开位置通过所述ITO导电薄膜连接导通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510227667.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
