[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201510214200.1 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105374385B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 安昶用;严浩锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置，包括写入驱动器、数据感测部以及编程控制部。所述写入驱动器响应于写入信号将输入数据写入存储器单元。所述数据感测部响应于验证读取信号而通过对输出自存储器单元的输出数据与参考电压进行比较来生成比较标记信号。所述编程控制部响应于写入命令而生成针对初始写入操作的写入信号和验证读取信号，并且一旦比较标记信号处于预定的电平就生成针对接下来的写入操作的写入信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，包括：写入驱动器，配置为响应于写入信号而将输入数据写入存储器单元；数据感测部，配置为响应于验证读取信号而通过将输出自存储器单元的输出数据与参考电压进行比较来生成比较标记信号；以及编程控制部，配置为响应于写入命令而生成针对初始写入操作的写入信号和验证读取信号，并且一旦比较标记信号处于预定的电平就生成针对接下来的写入操作的写入信号。
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