[发明专利]半导体存储器装置

说明书

一种半导体存储器装置，包括写入驱动器、数据感测部以及编程控制部。所述写入驱动器响应于写入信号将输入数据写入存储器单元。所述数据感测部响应于验证读取信号而通过对输出自存储器单元的输出数据与参考电压进行比较来生成比较标记信号。所述编程控制部响应于写入命令而生成针对初始写入操作的写入信号和验证读取信号，并且一旦比较标记信号处于预定的电平就生成针对接下来的写入操作的写入信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年08月28日提交于韩国知识产权局的申请号为10-2014-0113435的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施方式大体上涉及一种半导体装置，并且更具体地涉及一种半导体存储器装置的编程操作。

背景技术

DRAM(动态随机存取存储器)由于其迅捷地访问目标存储器单元并且使得存储和读取数据更为容易，因此主要用作电子设备的存储器。然而，包括在DRAM单元中的电容器具有渗漏特性。DRAM为易失性存储器，并且当电源供给被切断时丢失存储的数据。

为了克服DRAM的缺点，代之以使用非易失性存储器器件从而即使在电源供给被切断时也能保持所存储的数据。非易失性存储器器件的例子有闪存存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻随机存取存储器(ReRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)，以及自旋转移力矩随机存取存储器(STTRAM)。非易失性半导体存储器装置的存储器单元通过即使在电源供给被切断的情况下也保持所存储的数据而具有非易失的特性。

将数据存储进非易失半导体存储器装置的存储器单元中的操作通常被称为写入操作或是编程操作。在非易失半导体存储器装置中执行验证读取操作用以验证所预期的数据是否存储在存储器单元中。根据验证读取操作的结果，写入操作或是编程操作结束或是再次执行。相较于DRAM，用于存储数据的编程操作和验证读取操作的重复降低了非易失半导体存储器装置的整体操作速度。

发明内容

在一个实施方式中，一种半导体存储器装置包括写入驱动器，配置为响应于写入信号而将输入数据写入存储器单元；数据感测部，配置为响应于验证读取信号而通过将输出自存储器单元的输出数据与参考电压进行比较来生成比较标记信号。该半导体存储器装置可以进一步包括编程控制部，配置为响应于写入命令而生成针对初始写入操作的写入信号和验证读取信号，并且一旦比较标记信号处于预定的电平就生成针对接下来的写入操作的写入信号。

在一个实施方式中，一种半导体存储器装置包括写入驱动器，配置为响应于写入信号而将输入数据写入存储器单元；以及数据感测部，配置为响应于验证读取信号而通过将输出自存储器单元的输出数据与参考电压进行比较来生成比较标记信号。该半导体存储器装置可以包括编程控制部，配置为响应于写入命令而生成针对初始写入操作的写入信号和验证读取信号，并且一旦比较标记信号处于预定的电平就生成针对接下来的写入操作的写入信号。所述编程控制部可以基于用于生成比较标记信号的时间来调整写入信号的脉冲持续时间。

在一个实施方式中，一种半导体存储器装置包括存储器单元并且配置为：响应于接收到写入命令并且生成写入信号而将输入数据写入到存储器单元中，并且当将输出自存储器单元的输出数据与参考电压进行比较之后，一旦比较标记信号处于预定的电平就生成接下来的写入信号。

附图说明

图1是描述了根据一个实施方式的半导体装置的表示的框图；

图2是描述了图1所描述的数据感测部的表示的电路图；

图3是描述了根据包括在半导体装置中的存储器单元的电阻值的输出数据的电压分布和参考电压的表示的图；

图4是描述了图1所描述的编程控制部的表示的框图；

图5是描述了图4所描述的初始写入脉冲生成单元的表示的框图；