[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

写入驱动器，配置为响应于写入信号而将输入数据写入存储器单元；

数据感测部，配置为响应于验证读取信号而通过将输出自所述存储器单元的输出数据与参考电压进行比较来生成比较标记信号；以及

编程控制部，配置为：响应于写入命令而生成针对初始写入操作的所述写入信号和所述验证读取信号，并且一旦所述比较标记信号处于预定的电平就生成针对接下来的写入操作的所述写入信号，

其中所述编程控制部包括：

初始写入脉冲生成单元，配置为响应于所述写入命令和内部时钟信号而生成初始写入脉冲；

写入信号生成单元，配置为响应于初始写入脉冲和所述输入数据而生成所述针对初始写入操作的所述写入信号、以及响应于所述验证读取信号、所述输入数据和所述输出数据而生成所述针对接下来的写入操作的所述写入信号；

验证读取控制单元，配置为响应于所述写入信号和所述比较标记信号而生成验证读取终止信号；

验证读取信号生成单元，配置为响应于所述初始写入脉冲和所述验证读取终止信号而生成所述验证读取信号。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述数据感测部包括：

感测放大器，配置为响应于所述验证读取信号而通过差分放大所述输出数据和所述参考电压来生成输出信号；以及

感测完成探测单元，配置为通过感测所述输出信号的电平变化而生成所述比较标记信号。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述初始写入脉冲生成单元包括：

逻辑门，用于接收所述内部时钟信号以及所述写入命令；

脉冲生成器，用于接收所述逻辑门的输出并且生成所述初始写入脉冲。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述写入信号生成单元包括：

写入使能脉冲生成部分，配置为基于下一个写入脉冲以及所述初始写入脉冲而生成写入使能脉冲；以及

写入信号输出部分，配置为基于所述输入数据、所述输出数据以及所述写入使能脉冲而生成所述写入信号；

其中当所述验证读取信号为禁止时所述下一个写入脉冲为使能。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中当所述输出数据与所述输入数据的电平彼此不同时，所述写入信号输出部分基于所述写入使能脉冲而生成所述写入信号。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中所述写入信号输出部分包括：

数据比较器，配置为对所述输入数据与所述输出数据的电平进行比较；以及

信号组合器，配置为基于由所述数据比较器对所述输入数据与所述输出数据的电平进行比较而生成的比较结果来将所述写入使能脉冲提供作为所述写入信号。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中当所述写入信号为禁止时，所述验证读取控制单元禁止所述验证读取终止信号，并且当所述比较标记信号处于所述预定电平时，所述验证读取控制单元使能所述验证读取终止信号。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中所述验证读取信号生成单元基于所述初始写入脉冲的禁止和所述验证读取终止信号的禁止而使能所述验证读取信号，并且基于所述初始写入脉冲的使能和所述验证读取终止信号的使能而禁止所述验证读取信号。

9.一种半导体存储器装置，包括：

写入驱动器，配置为响应于写入信号而将输入数据写入存储器单元；

数据感测部，配置为响应于验证读取信号而通过将输出自所述存储器单元的输出数据与参考电压进行比较来生成比较标记信号；以及

编程控制部，配置为：响应于写入命令而生成针对初始写入操作的所述写入信号和所述验证读取信号，并且一旦所述比较标记信号处于预定的电平就生成针对接下来的写入操作的所述写入信号，

其中所述编程控制部基于用于生成所述比较标记信号的时间来调整所述针对接下来的写入操作的所述写入信号的脉冲持续时间。