[发明专利]批处理式基板处理装置在审
| 申请号： | 201510202051.7 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105047584A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李炳一;朴暻完;许官善 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种批处理式基板处理装置。本发明涉及的批处理式基板处理装置(100)，可对多个基板(10)进行基板处理，其特征在于，包括：本体(110)，其包括腔室(101)，该腔室(101)用于提供对多个基板(10)进行基板处理的空间；多个加热单元(120)，配置于腔室(101)的至少一侧面上；以及基板搬送单元(130)，在腔室(101)内搬送基板(10)；其中，腔室(101)被划分为，对基板(10)进行基板处理的第1温度区域(103)及以比第1温度区域(103)更高的温度对基板(10)进行基板处理的第2温度区域(105)。 | ||
| 搜索关键词： | 批处理 式基板 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种批处理式基板处理装置，能够对多个基板进行基板处理，其特征在于，包括：本体，其包括腔室，该腔室用于提供对所述多个基板进行基板处理的空间；多个加热单元，配置在所述腔室的至少一侧面上；以及基板搬送单元，在所述腔室内搬送所述基板；其中，所述腔室被划分为，对所述基板进行基板处理的第1温度区域及以比所述第1温度区域更高的温度对所述基板进行基板处理的第2温度区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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