[发明专利]批处理式基板处理装置在审

申请号：	201510202051.7	申请日：	2015-04-24
公开（公告）号：	CN105047584A	公开（公告）日：	2015-11-11
发明（设计）人：	李炳一;朴暻完;许官善	申请（专利权）人：	泰拉半导体株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	北京鸿元知识产权代理有限公司 11327	代理人：	姜虎;陈英俊
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：
搜索关键词：	批处理式基板处理装置
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种批处理式基板处理装置。更具体地，涉及腔室内部被划分为第1温度区域及比第1温度区域温度更高的第2温度区域从而可连续地实施低温基板处理工艺及高温基板处理工艺的批处理式基板处理装置。

背景技术

在制造显示器或半导体器件时所使用的基板处理装置中所实施的基板的热处理(Annealing)工艺是为了提高基板薄膜的特性而对基板上蒸镀的膜进行结晶化、相变化等的工艺。

图1是现有的基板处理系统的示意图。现有的基板处理系统包括第1热处理装置1、第2热处理装置3、冷却装置5及用于搬送基板10的基板搬送机器人7。

基板10可为用于可挠性显示器的柔性材料。例如，基板10可能是聚酰亚胺(polyimide：PI)系列的材料。

在第1热处理装置1中可实施约150～250℃的低温热处理工艺。在第1热处理装置1中的低温热处理工艺结束之后，基板10可通过基板搬送机器人7搬送到第2热处理装置3中。在第2热处理装置3中可实施约400～450℃的高温热处理工艺。在第2热处理装置3中的高温热处理工艺结束之后，基板10可通过基板搬送机器人7搬送到冷却装置5而进行冷却。

如上，低温热处理工艺与高温热处理工艺分开实施的理由在于，先对PI材料的基板10进行低温热处理以使其逐渐固化而排出基板10内部的水分、溶剂从而提高密度之后，通过高温热处理工艺完成固化。如果马上实施高温热处理工艺，则基板10内部的水分、溶剂未能排出即被固化，从而基板10内部产生缺陷(defect)。

然而，现有的基板处理系统，由于在单独构成的第1热处理装置1及第2热处理装置3中实施热处理工艺，因此工艺耗时长达约400～500分钟左右，这将导致生产率低下的问题。

此外，由于分两个步骤实施热处理工艺，因此在通过基板搬送机器人7搬送基板10的过程中存在基板10受损或被微细粒子污染的问题。

发明内容

本发明旨在解决如上所述的现有技术的诸多问题，其目的在于，提供一种可缩短基板处理工艺时间从而提高生产率的批处理式基板处理装置。

此外，本发明的目的还在于，提供一种防止基板受损或被污染从而提高产品的可靠性及产量。

为了实现上述目的，本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置，可对多个基板进行基板处理，其特征在于，包括：本体，其包括腔室，该腔室用于提供对所述多个基板进行基板处理的空间；多个加热单元，配置在所述腔室的至少一侧面上；基板搬送单元，在所述腔室内搬送所述基板；其中，所述腔室被划分为，对所述基板进行基板处理的第1温度区域及以比所述第1温度区域更高的温度对所述基板进行基板处理的第2温度区域。

根据本发明的上述结构，可缩短基板处理工艺的时间，且提高生产率。

此外，本发明还可防止基板受损或被污染，从而提高产品的可靠性及产量。

附图说明

图1是现有的基板处理系统的示意图。

图2是本发明的第一实施例涉及的批处理式基板处理装置的立体图。

图3是本发明的第一实施例涉及的批处理式基板处理装置的横剖视图。

图4是本发明的一实施例涉及的支撑部件的立体图。

图5是本发明的第二实施例涉及的批处理式基板处理装置的立体图。

图6是本发明的第二实施例涉及的批处理式基板处理装置的横剖视图。

图7是本发明的第三实施例涉及的批处理式基板处理装置的立体图。

图8是本发明的第三实施例涉及的批处理式基板处理装置的横剖视图。

附图标记