[发明专利]批处理式基板处理装置在审
| 申请号: | 201510202051.7 | 申请日: | 2015-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN105047584A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
| 发明(设计)人: | 李炳一;朴暻完;许官善 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 批处理 式基板 处理 装置 | ||
1.一种批处理式基板处理装置,能够对多个基板进行基板处理,其特征在于,包括:
本体,其包括腔室,该腔室用于提供对所述多个基板进行基板处理的空间;
多个加热单元,配置在所述腔室的至少一侧面上;以及
基板搬送单元,在所述腔室内搬送所述基板;
其中,所述腔室被划分为,对所述基板进行基板处理的第1温度区域及以比所述第1温度区域更高的温度对所述基板进行基板处理的第2温度区域。
2.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
所述基板通过所述基板搬送单元从所述第1温度区域被搬送到所述第2温度区域。
3.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
在所述本体的设有所述第1温度区域的一侧上,形成有加载所述基板的加载口;在所述本体的设有所述第2温度区域的一侧上,形成有卸载所述基板的卸载口。
4.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
所述加热单元包括:
主加热单元,其加热所述腔室内部;以及
辅助加热单元,其在所述腔室的两侧面上以垂直方向配置,以防止所述腔室的热损失。
5.根据权利要求4所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
所述主加热单元包括彼此隔着规定间距配置的多个主单位加热器;
所述辅助加热单元包括彼此隔着规定间距配置的多个辅助单位加热器。
6.根据权利要求5所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
所述主单位加热器及所述辅助单位加热器是棒状的加热器。
7.根据权利要求5所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
所述主单位加热器配置成垂直于所述基板的搬送方向。
8.根据权利要求5所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
所述主单位加热器配置成平行于所述基板的搬送方向。
9.根据权利要求8所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
插入于所述主单位加热器内部的发热体的密度,在位于所述第2温度区域的部分高于在位于所述第1温度区域的部分。
10.根据权利要求3所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,还包括:
门,其配置于形成有所述加载口及所述卸载口的所述本体的一侧上,用于开闭所述加载口及所述卸载口。
11.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
在所述第1温度区域与所述第2温度区域的分界处设置有隔断口,从而防止所述第1温度区域与所述第2温度区域之间的热交换。
12.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
所述基板搭载于支撑部件上,所述支撑部件以搭载于所述基板搬送单元上的状态被搬送。
13.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
所述第1温度区域的温度在150℃至250℃之间,所述第2温度区域的温度在400℃至450℃之间。
14.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
在所述本体的至少一个外侧面上设置有加强肋。
15.根据权利要求1所述的批处理式基板处理装置,其特征在于,
在所述本体的至少一个外侧面上设置有本体冷却/加热部,所述本体冷却/加热部用以使所述本体内壁保持规定温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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