[发明专利]一种樱桃砧木M9的组培快速育苗方法

摘要

本发明公开了一种樱桃砧木M9的组培快速育苗方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)获取无菌材料(2)樱桃的初代培养(3)樱桃的增殖培养(4)生根壮苗培养(5)驯化移栽。有益效果：本发明由于采用在M9培养基的基础上，通过调整大量元素的种类和浓度以及优化激素调控琼脂浓度等，为樱桃桃组培苗继代增殖提供了均衡合理的营养需求，保证了其快速、高效、健壮生长，有效的促进了节间伸长，生根系数高。

主权项

一种樱桃砧木M9的组培快速育苗方法，其特征在于，包括以下步骤：(1) 获取无菌材料：在春季剪取樱桃新萌发的小芽，用75％的乙醇浸泡20‑30s清洗材料后，在纯净水中浸泡15‑20分钟后放于超净工作台上，再用吸水纸吸小芽体干表面水分；(2) 樱桃的初代培养：取小芽基部，切成lcm 长的小段，接种至小芽诱导培养上，所述的小芽诱导培养基的成分为：MN+2.0 mg/L 6‑BA+0.5 mg/L 2,4‑D +0.2 mg/L NAA+ 30 g/L 白糖＋ 6g/L 琼脂粉，小芽接种于小芽诱导培养基19天后，进行继代增殖培养；(3) 樱桃的增殖培养：将带有愈伤组织的芽接种于pH 值为5.8‑6.2 的不定芽增殖培养基上进行增殖培养，所述的增殖培养基的成分为0.3mg/L+磷酸二氢钾0.1mg/L+硫酸镁0.2mg/L+碘化钾0.2mg/L硫酸锌0.3mg/L+钼酸钠0.1mg/L+硫酸亚铁0.5mg/L+盐酸吡哆醇0.2mg/L+烟酸0.1mg/L+吲哚乙酸0.2mg/L +6‑BA1.0‑3.0mg/L+ 蔗糖30g/L+ 琼脂6g/L，其中，先进行暗处理1 周，再给予每日光照16h，增殖培养的培养温度为24‑26℃；(4) 生根壮苗培养：在不定芽增殖培养基中诱导出丛生芽后，将丛生芽分成小丛或单芽并接种于pH 值为5.8‑6.2 的生根壮苗培养基中，所述的生根壮苗培养基的成分为0.2mg/LIBA+NAA0.5‑1.0mg/L+IBA2.0‑6.0mg/L+ 蔗糖30g/L+ 琼脂6g/L，进行生根和壮苗培养；(5) 驯化移栽：当根长为2‑4cm 时，进行驯化移栽，将培养瓶移至大棚内炼苗6‑10 天，洗去培养基，将根部浸泡5％高锰酸钾溶液进行消毒，移栽入穴盘中， 1 周后除去薄膜，给予全光照，进行肥水管理。