[发明专利]一种樱桃砧木M9的组培快速育苗方法在审

专利信息
申请号: 201510199392.3 申请日: 2015-04-24
公开(公告)号: CN104737919A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 汪锡文 申请(专利权)人: 芜湖东源新农村开发股份有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 代理人:
地址: 241300 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 樱桃 砧木 m9 快速 育苗 方法
【权利要求书】:

1.一种樱桃砧木M9的组培快速育苗方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1) 获取无菌材料:

在春季剪取樱桃新萌发的小芽,用75%的乙醇浸泡20-30s清洗材料后,在纯净水中浸泡15-20分钟后放于超净工作台上,再用吸水纸吸小芽体干表面水分;

(2) 樱桃的初代培养:

取小芽基部,切成lcm 长的小段,接种至小芽诱导培养上,所述的小芽诱导培养基的成分为:MN+2.0 mg/L 6-BA+0.5 mg/L 2,4-D +0.2 mg/L NAA+ 30 g/L 白糖+ 6g/L 琼脂粉,小芽接种于小芽诱导培养基19天后,进行继代增殖培养;

(3) 樱桃的增殖培养:

将带有愈伤组织的芽接种于pH 值为5.8-6.2 的不定芽增殖培养基上进行增殖培养,所述的增殖培养基的成分为0.3mg/L+磷酸二氢钾0.1mg/L+硫酸镁0.2mg/L+碘化钾0.2mg/L硫酸锌0.3mg/L+钼酸钠0.1mg/L+硫酸亚铁0.5mg/L+盐酸吡哆醇0.2mg/L+烟酸0.1mg/L+吲哚乙酸0.2mg/L +6-BA1.0-3.0mg/L+ 蔗糖30g/L+ 琼脂6g/L,其中,先进行暗处理1 周,再给予每日光照16h,增殖培养的培养温度为24-26℃;

(4) 生根壮苗培养:

在不定芽增殖培养基中诱导出丛生芽后,将丛生芽分成小丛或单芽并接种于pH 值为5.8-6.2 的生根壮苗培养基中,所述的生根壮苗培养基的成分为0.2mg/LIBA+NAA0.5-1.0mg/L+IBA2.0-6.0mg/L+ 蔗糖30g/L+ 琼脂6g/L,进行生根和壮苗培养;

(5) 驯化移栽:

当根长为2-4cm 时,进行驯化移栽,将培养瓶移至大棚内炼苗6-10 天,洗去培养基,将根部浸泡5%高锰酸钾溶液进行消毒,移栽入穴盘中, 1 周后除去薄膜,给予全光照,进行肥水管理。

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